[发明专利]高效率斜双层光栅有效

专利信息
申请号: 201310645651.1 申请日: 2013-12-04
公开(公告)号: CN103675969A 公开(公告)日: 2014-03-26
发明(设计)人: 周常河;李树斌;曹红超;吴俊;刘昆;卢炎聪 申请(专利权)人: 中国科学院上海光学精密机械研究所
主分类号: G02B5/18 分类号: G02B5/18
代理公司: 上海新天专利代理有限公司 31213 代理人: 张泽纯
地址: 201800 上海*** 国省代码: 上海;31
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摘要:
搜索关键词: 高效率 双层 光栅
【说明书】:

技术领域

发明涉及透射光栅,特别是一种用于1064纳米波长的TE偏振的垂直入射的-1级高效率斜双层光栅。

背景技术

光偏转器是光学系统中的基本元件,在光学系统中有着重要的应用。在光通信、光信息处理、光计算、全息等等系统中有着不可替代的作用。传统的光偏转器,由于工艺复杂,成本昂贵,而且激光破坏阈值不高。今年来兴起的电光晶体作为光偏转,也同样存在着成本高,制造困难等缺点。熔融石英和Ta2O5是一种理想的光栅材料,它具有高光学质量:稳定的性能、高损伤阈值和从深紫外到远红外的宽透射谱,并且设计制作的高效率光栅,结构简单,工艺流程简单。因此,刻蚀高密度深刻蚀光栅作为新型的光偏转器件具有广泛的应用前景。对于高密度光栅,一种较为常见的光入射方式是垂直入射,即入射角是零度。

Anduo Hu等人设计了一种布拉格角入射下的高效率反射式石英-1级高效率衍射光栅【在先技术1:Anduo Hu et al.,J.Opt.14,055705(2012)】。以上光栅是基于在布拉格角入射的矩形反射式光栅,当光垂直的照在斜双层光栅上,由于斜双层光栅在结构上存在不对称的特性,透射光能量会存在不对称分布,同时斜双层光栅具有更多的设计自由度,可以实现-1级高效率的透射。

斜双层光栅是利用微电子深刻蚀工艺,在基底上加工出的具有倾斜槽形的光栅。高密度倾斜光栅的衍射理论,不能由简单的标量光栅衍射方程来解释,而必须采用矢量形式的麦克斯韦方程并结合边界条件,通过编码的计算机程序精确地计算出结果。Moharam等人已给出了严格耦合波理论的算法【在先技术2:M.G.Moharam et al.,J.Opt.Soc.Am.A.12,1077(1995)】,可以解决这类高密度光栅的衍射问题。但据我们所知,目前为止,还没有人针对常用1064纳米波长实现垂直入射-1级高效率透射的设计。

发明内容

本发明要解决的技术问题是提供一种用于1064纳米波长的TE偏振的垂直入射的-1级高效率斜双层光栅。当TE偏振光垂直入射时,该光栅可以使入射光能量主要分布在-1级透射光上,-1级透射光的最高效率大于98%。因此,该光栅具有重要的实用价值。

本发明的技术解决方案如下:

一种用于1064纳米波长的TE偏振垂直入射-1级高效率斜双层光栅,其特征在于光栅的光栅周期为950~954纳米,脊宽为441~445纳米,倾斜角68~69度,光栅总深度为2046~2050纳米。

最佳的光栅的周期为952纳米,光栅倾斜角为68.75度,脊宽为443纳米,光栅总深度为2048纳米。

本发明的技术效果如下:

特别是当光栅的光栅周期为952纳米,光栅倾斜角为68.75度,脊宽为443纳米,光栅总深度为2048纳米。-1级透射光的衍射效率最大值大于98%。本发明具有使用灵活方便、均匀性较好、衍射效率较高等优点,是一种非常理想的衍射光学元件,利用电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺,可以大批量、低成本地生产,刻蚀后的光栅性能稳定、可靠,具有重要的实用前景。

附图说明

图1是本发明1064纳米波长的TE偏振的垂直入射的-1级高效率斜双层光栅的几何结构。

图中,1代表入射光,2代表出射光,3代表折射率为n1=1的均匀区域,4代表第一层光栅区域(折射率为nr1),5代表第二层光栅区域(折射率为nr2),6代表折射率为n2=1.45的均匀区域。d为光栅周期,b为脊宽,h为光栅深度,θ为光栅倾斜角。

图2是本发明要求范围内-1级高效率斜双层光栅(石英的折射率为1.45,Ta2O5的折射率为2)光栅周期为952纳米,光栅总深度为2048纳米,脊宽为443纳米,倾斜角为68.75度,衍射效率随波长变化的曲线。

具体实施方式

下面结合实施例和附图对本发明作进一步说明,但不应以此限制本发明的保护范围。

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