[发明专利]锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜及其制备方法和电致发光器件在审
| 申请号： | 201310633486.8 | 申请日： | 2013-11-29 |
| 公开（公告）号： | CN104673304A | 公开（公告）日： | 2015-06-03 |
| 发明（设计）人： | 周明杰;陈吉星;王平;黄辉 | 申请（专利权）人： | 海洋王照明科技股份有限公司;深圳市海洋王照明技术有限公司;深圳市海洋王照明工程有限公司 |
| 主分类号： | C09K11/75 | 分类号： | C09K11/75;H01L33/50;C23C16/40 |
| 代理公司： | 深圳市隆天联鼎知识产权代理有限公司 44232 | 代理人： | 刘抗美;刘耿 |
| 地址： | 518000 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 掺杂 硅酸盐 发光 薄膜 及其 制备 方法 电致发光 器件 | ||
1.一种锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜，其特征在于，其化学通式为MeSb2-xSi2O10：xMn4+；其中：
MeSb2-xSi2O10是基质，Mn4+是掺杂元素；
x的取值范围为0.01~0.08；
Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。
2.如权利要求1所述的锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜，其特征在于，所述x为0.05。
3.如权利要求1所述的锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜，其特征在于，其厚度为80~300nm。
4.一种锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：
将衬底装入化学气相沉积设备的反应室中，并将所述反应室的真空度设置为1.0×10-2Pa ~1.0×10-3Pa；调节所述衬底的温度为250℃~650℃，转速为50转/分钟~1000转/分钟，采用氩气作为载体，所述氩气含有四种有机源，所述四种有机源分别为摩尔比为1：（2-x）：2：x的环戊二烯碱土盐、三甲基锑、硅烷和甲基二茂锰；
再通入氧气，沉积得到所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜；所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeSb2-xSi2O10：xMn4+；其中，x的取值范围为0.01~0.08；Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。
5.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜的厚度为80nm~300nm。
6.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，将所述衬底装入所述反应室后，将所述衬底在600℃~800℃下热处理10分钟~30分钟。
7.如权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述氩气的流量为5~15sccm，所述氧气的流量为10~200sccm。
8.一种电致发光器件，其为复合层状结构，所述复合层状结构依次为玻璃基片、阳极层、发光层以及阴极层，其特征在于，所述发光层为锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜，所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜的化学通式为MeSb2-xSi2O10：xMn4+；其中：
MeSb2-xSi2O10是基质，Mn4+是掺杂元素；
x的取值范围为0.01~0.08；Me为Zn、Mg、Ca、Sr或Ba。
9.如权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述x为0.05。
10.如权利要求8所述的电致发光器件，其特征在于，所述锰掺杂锑硅酸盐发光薄膜的厚度为80~300nm。
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