[发明专利]控制多晶硅栅极关键尺寸的方法

权利要求书

1.一种控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，所述方法包括：

S1，提供一用于进行多晶硅栅极刻蚀工艺的反应腔体和一需进行多晶硅栅极刻蚀工艺的半导体结构；

S2，在将所述半导体结构置于所述反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀前，于所述反应腔体的内壁表面沉积硅氧化合物；

S3，将所述半导体结构置于所述反应腔体内进行多晶硅栅极刻蚀工艺。

2.如权利要求1所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，在所述步骤S2中，所述硅氧化合物沉积的时间和反应腔体的内壁表面硅氧化合物沉积的厚度成的线性关系。

3.如权利要求2所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，在所述步骤S3中，在进行所述多晶硅栅极刻蚀工艺时，所述硅氧化合物与进行所述多晶硅刻蚀工艺的气体进行反应释放氧原子，且该氧原子与进行多晶硅刻蚀工艺的半导体结构反应，以于所述半导体结构上生成氧化物层。

4.如权利要求3所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，根据所述硅氧化合物沉积的时间和硅氧化合物沉积的厚度所成的线性关系，以及反应腔体的内壁表面沉积的硅氧化合物的厚度对刻蚀工艺形成的多晶硅栅极的线宽差的影响，所述硅氧化合物沉积的时间分为空乏时间区间、饱和时间区间和线性时间区间，在空乏时间区间内，所述多晶硅栅极具有第一固定线宽差，在饱和时间区间，所述多晶硅栅极具有第二固定线宽差，所述第一固定线宽差和所述第二固定线宽差不相同，在线性时间区间内，所述多晶硅栅极的线宽差和硅氧化合物的沉积时间成线性关系，其中，所述线宽差为多晶硅栅极刻蚀工艺后实际形成的多晶硅栅极的关键尺寸值与所述多晶硅栅极刻蚀工艺前预设的关键尺寸值之间的差值。

5.如权利要求4所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，在所述线性时间区间内，可以利用所述硅氧化合物沉积的时间来调整所述反应腔体中多晶硅栅极刻蚀工艺的线宽差。

6.如权利要求4所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，所述第一固定线宽差的数值大于所述第二固定线宽差的数值。

7.如权利要求1所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，所述在反应腔体侧壁上沉积硅氧化合物是采用化学气相沉积的方法在反应腔体侧壁上沉积硅氧化合物。

8.如权利要求1所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，还包括，S4，在对所述晶圆进行多晶硅栅极刻蚀完成之后，移除所述晶圆，然后清除反应腔侧壁上的硅氧化合物和刻蚀气体反应的生成物以及反应腔侧壁上残留的硅氧化合物。

9.如权利要求1-8任一项所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，所述硅氧化合物为SiO₂Cl₄。

10.如权利要求9所述的控制多晶硅栅极关键尺寸的方法，其特征在于，所述在反应腔体侧壁上沉积SiO₂Cl₄的方法包括:

利用SiCl₄与O₂进行反应得到SiO₂Cl₄，并沉积到反应腔侧壁上。