[发明专利]离子注入角度监控方法

权利要求书

1.一种离子注入角度监控方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶片；

在上述晶片中，利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理；

在以每一注入角度进行离子注入和快速热退火处理之后，均进行数据测量，获得所述不同注入角度下的晶片电阻值，建立电阻值—注入角度特征曲线；

根据所述电阻值—注入角度特征曲线确定监控参考角度，并将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；

定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的晶片电阻值；以及

根据所测量的晶片电阻值与电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性。

2.根据权利要求1所述的离子注入角度监控方法，其特征在于，所述监控参考角度为所述不同注入角度中对应于所述电阻值—注入角度特征曲线的斜率为最大的注入角度。

3.根据权利要求1所述的离子注入角度监控方法，其特征在于，根据所测量的晶片电阻值与电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性的步骤包括：

将所测量的晶片电阻值减去所述监控参考角度对应的晶片电阻值得到一差值；以及

将该差值与所述监控参考角度对应的晶片电阻值相比得到离子注入角度的偏差，所述离子注入角度的偏差与所述离子注入角度的准确性成反比。

4.根据权利要求1所述的离子注入角度监控方法，其特征在于，所述离子注入机的注入能量范围为0.5～1500千电子伏，注入的离子的剂量范围为1E11～1E16。

5.一种离子注入角度监控方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供一晶片；

在上述晶片中，利用离子注入机按不同的注入角度注入预定能量、剂量的离子，并进行快速热退火处理；

在以每一注入角度进行离子注入和快速热退火处理之后，均进行数据测量，获得所述不同注入角度下的热波值和晶片电阻值，分别建立热波值—注入角度特征曲线以及电阻值—注入角度特征曲线；

根据所述热波值—注入角度特征曲线以及电阻值—注入角度特征曲线确定监控参考角度，并将该监控参考角度、预定能量、剂量的离子设为离子注入条件；

定期在所述离子注入条件下进行离子注入，并测量相应的热波值和/或晶片电阻值；以及

根据所测量的所述热波值或所述晶片电阻值，以及所述热波值—注入角度特征曲线或所述电阻值—注入角度特征曲线确定离子注入角度的准确性。

6.根据权利要求5所述的离子注入角度监控方法，其特征在于，根据所述热波值—注入角度特征曲线以及电阻值—注入角度特征曲线的斜率确定所述监控参考角度。

7.根据权利要求5所述的离子注入角度监控方法，其特征在于，确定离子注入角度的准确性的步骤包括：

将所测量的热波值或晶片电阻值减去所述监控参考角度对应的热波值或晶片电阻值得到一差值；以及

将该差值与所述监控参考角度对应的热波值或晶片电阻值相比得到离子注入角度的偏差，所述离子注入角度的偏差与所述离子注入角度的准确性成反比。

8.根据权利要求5所述的离子注入角度监控方法，其特征在于，所述离子注入机的注入能量范围为0.5～1500千电子伏，注入的离子的剂量范围为1E11～1E16。