[发明专利]一种三维光子晶体帯隙的调节方法

权利要求书

1.一种三维光子晶体帯隙的调节方法，其特征在于，包括以下步骤：

1）制备具有光致变性能的三维有序结构五氧化二铌光子晶体；

2）将步骤1）中所得三维有序结构五氧化二铌光子晶体的基片放入带有石英窗口的密封器皿中，在器皿中充入含有活性氢原子的有机物做为供氢剂，基片在供氢剂的氛围下使用紫外灯辐照一段时间进行注氢，这时光子晶体的光子帯隙将发生蓝移；

3）将步骤2）中所得已经注氢的三维有序结构五氧化二铌光子晶体放置在烘箱中处理一段时间，三维有序结构氧化二铌光子晶体脱氢，光子带隙逐步红移至初始位置。

2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤2）中的供氢剂选自有机物液体或气体。

3.根据权利要求1或2所述的制备方法，其特征在于，步骤2）中供氢剂有机物选自含羟基、醛基的有机物。

4.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，步骤3）中烘箱处理的温度是50℃～150℃。

5.通过权利要求1所述的调节方法其光子晶体帯隙可调的氧化二铌三维光子晶体。