[发明专利]移位寄存器及其驱动方法

说明书

技术领域

本公开涉及显示装置，具体地，涉及用于平板显示装置的移位寄存器及其驱动方法。

背景技术

随着各种便携式电子装置（诸如移动终端和笔记本电脑）的发展，对应用于便携式电子装置的平板显示装置的需求正日益增加。因此，诸如液晶显示（LCD）装置、等离子体显示面板（PDP）装置和有机发光二极管（OLED）显示装置的平板显示装置正日益商业化。

平板显示装置的选通驱动电路包括用于向多条选通线顺序施加选通脉冲的移位寄存器。移位寄存器包括具有多个晶体管的多个级，这些级以级联方式连接，以顺序输出选通脉冲。

近来，LCD装置和/或有机发光显示装置使用板内选通（gate-in panel，GIP）型，在板内选通型中，构成选通驱动电路的移位寄存器的晶体管被内置于显示面板的基板内作为薄膜晶体管（TFT）。

构成GIP型移位寄存器的TFT分别向显示面板中形成的多个像素施加选通脉冲。因此，除了TFT的基础特性诸如迁移率和漏电流之外，用于保持长时间寿命的电可靠性和耐久性非常重要。

TFT的半导体层由非晶硅或多晶硅形成。非晶硅的膜形成工序简单并且制造成本低，但不能确保电可靠性。

此外，多晶硅由于高工序温度而非常难以实现大面积，并且不能基于结晶方案确保均匀性。为了解决这类问题，近来正进行使用氧化物半导体作为TFT的半导体层的研究。

氧化物半导体是非晶的，并且被认为是稳定材料。当使用氧化物半导体作为TFT的半导体层时，可以通过使用现有的工序设备甚至在不另外购买单独的工序设备的情况下在低温下制造TFT，并且存在多个优点，诸如省去了离子注入工序等。

图1是示出通用氧化物TFT的传输特性的曲线图。

如图1中看到的，由于氧化物薄膜晶体管（下文中，被称为氧化物TFT）具有负阈值电压，因此当选通电压（Vg）是0V时出现漏电流。由于漏电流，导致移位寄存器不能输出正常的选通脉冲。

可以通过改变氧化物TFT的制造工序以将氧化物TFT的阈值电压转变为正电压来解决这种问题。然而，由于显示面板的显示区中形成的TFT也具有正阈值电压（Vth），因此驱动功率增大。因此，需要减弱与构成移位寄存器的氧化物TFT的弱点相对应的阈值电压的影响的方法。

移位寄存器包括用于输出高电压的上拉TFT和用于输出低电压的下拉TFT。这里，用于输出高电压的上拉TFT连接到Q节点，用于输出低电压的下拉TFT连接到QB节点。

这里，QB节点在一个帧周期期间的大部分时间内保持高电压。因此，连接到QB节点的下拉TFT的阈值电压被转变为正电压，并且为此，下降时间操作受到影响。

在现有技术的GIPT型移位寄存器中，当设置有用于在一个水平周期（1HT）中进行驱动的布局时，难以改变输出信号的时序。

尤其地，当布局被设置为1HT驱动方案时，不能在等于或大于一个水平周期（1HT）的时间内输出信号，并且当布局被设置为2HT驱动方案时，不可避免地只在与两个水平周期（2HT）对应的2HT时间内调节信号的输出。

由于现有技术的移位寄存器通过将启动时钟信号（CLK）来产生输出信号（VGH、VGL），因此输出信号受时钟信号（CLK）的宽度的影响。为了增加信号的输出时间，需要增大时钟信号的宽度，但当时钟信号的宽度增大时，因为高输出信号（VGH）和低输出信号（VGL）重叠，移位寄存器不能正常操作。

另外，需要用多个信号（即，各种输出信号）驱动OLED显示装置的像素。然而，现有技术的移位寄存器不能产生各种输出信号，并且不能调节输出信号的时序。

发明内容

一种移位寄存器包括：起始信号单元，其被构造为通过使用输入到起始信号单元的第一起始脉冲信号、第一时钟信号和第一控制脉冲信号来控制输出信号的开始；结束信号单元，其被构造为通过使用输入到结束信号单元的第二起始脉冲信号、第二时钟信号和第二控制脉冲信号来控制输出信号的结束；以及多个级，其被构造为根据从连接到起始信号单元的第一节点提供的信号，将输出信号增加至高电平驱动电压，并且根据从连接到结束信号单元的第二节点提供的信号，将输出信号降低至低电平驱动电压，多个级中的每个级生成用于驱动显示装置的像素电路的多个信号。

要理解，本发明的以上总体描述和以下详细描述都是示例性和说明性的，并且旨在提供对要求保护的本发明的进一步说明。

附图说明

附图被包括以提供对本发明的进一步理解，并入且构成本申请的一部分，附图示出了本发明的实施方式并且与描述一起用于说明本发明的原理。在附图中：