[发明专利]一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法

说明书

技术领域

本发明涉及一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，属于陶瓷制备技术领域。

背景技术

AlON陶瓷材料具有优良的耐高温性能、高温力学性能和热学性能，被广泛应用于航空航天、电子、机械、冶金等领域。但是，由于其抗氧化能力较差，在有氧存在的条件下约1000℃左右开始氧化，因此，严重制约该材料的应用领域。

发明内容

本发明的目的在于提供一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法。其技术方案为：

一种片状AlON陶瓷粉体的制备方法，将粒度为0.1~2μm的氧化镁1~20wt%、AlN-AlON混合粉体80~99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500~2000℃的温度下30~180分钟烧制，研磨制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3~3μm的AlN粉体和Al₂O₃粉体以摩尔比为1~5的比例均匀混合制成的。

本发明与现有技术相比，其优点为：

1、本发明制备的片状AlON陶瓷粉体显微结构均匀，片与片之间成一定角度，并与机体相连；

2、每一个晶粒表面为片状AlON相连形成网络结构，在与其他晶体复合时形成弱界面联系。

附图说明

图1是实施例1制备的片状AlON陶瓷粉体的XRD照片；图2是实施例2制备的片状AlON陶瓷粉体显微照片。

具体实施方式

实施例1

将粒度为0.1μm的氧化镁1wt%、AlN-AlON混合粉体99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下2000℃的温度下180分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3μm的AlN粉体和Al₂O₃粉体以摩尔比为1的比例均匀混合制成的。

实施例2

将粒度为0.1μm的氧化镁1wt%、AlN-AlON混合粉体99wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1800℃的温度下60分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为0.3μm的AlN粉体和Al₂O₃粉体以摩尔比为2的比例均匀混合制成的。

实施例3

将粒度为2μm的氧化镁20wt%、AlN-AlON混合粉体80wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1500℃的温度下30分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为1μm的AlN粉体和Al₂O₃粉体以摩尔比为3.5的比例均匀混合制成的。

实施例4

将粒度为1μm的氧化镁10wt%、AlN-AlON混合粉体90wt%混合均匀，经干压成型后在氩气气氛下1700℃的温度下90分钟烧制成片状AlON陶瓷粉体，其中AlN-AlON混合粉体是粒度为2μm的AlN粉体和Al₂O₃粉体以摩尔比为5的比例均匀混合制成的。