[发明专利]能够缩短铁皮石斛无性繁殖周期的铁皮石斛的繁殖方法无效

专利信息
申请号: 201310610445.7 申请日: 2013-11-27
公开(公告)号: CN103609446A 公开(公告)日: 2014-03-05
发明(设计)人: 段学武;蒋跃民;郑永华 申请(专利权)人: 苏州田园农业技术开发有限公司
主分类号: A01H4/00 分类号: A01H4/00
代理公司: 南京同泽专利事务所(特殊普通合伙) 32245 代理人: 石敏
地址: 215111 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要:
搜索关键词: 能够 缩短 铁皮 石斛 无性繁殖 周期 繁殖 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及铁皮石斛的培植技术,具体为能够缩短铁皮石斛无性繁殖周期的铁皮石斛的繁殖方法。

背景技术

铁皮石斛又名黑节草, 俗称铁皮枫斗, 为兰科石斛属多年生常绿草本植物, 是一种名贵药材。近年研究发现石斛中含有石斛多糖、生物碱、鼓槌菲和毛兰素等化合物, 以及7 种人体必需氨基酸和多种微量元素。现代药理表明石斛具有抗肿瘤、抗衰老、增强免疫力等功能, 对心血管、消化系统、呼吸系统和眼科疾病均有明显的治疗作用。由于铁皮石斛具有多种独特疗效的药用价值, 民间称其为 救命仙草, 医学界称其为 药界大熊猫。铁皮石斛自然繁殖力极低, 传统的分株、扦插等方式繁殖率又很低, 生长速度缓慢, 加上人为无节制的采集和破坏, 使得自然资源的蕴藏量骤降, 已濒临灭绝。对铁皮石斛进行体外快繁, 是解决目前铁皮石斛野生资源与需求矛盾的重要途径。

近年来, 科研工作者对铁皮石斛组织培养快繁技术进行了大量的研究, 但是主要集中在原球茎增殖、分化方面, 以茎段为材料实现铁皮石斛体外快繁的研究不多。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种能够缩短铁皮石斛无性繁殖的周期的铁皮石斛的繁殖方法。

为解决上述技术问题,本发明提供了一种铁皮石斛的繁殖方法,包括以下步骤:

(1)不定芽诱导:取铁皮石斛当年生幼嫩茎段,切成长度为1-1.5cm、带1-2个腋芽的小茎段,冲洗后,先用75%的酒精浸泡30s,然后用0.1%的氯化汞消毒10-12min,再经无菌水冲洗4-5次;

将消毒完的石斛茎段在诱导培养基中培养28-30d,该诱导培养基为:MS基本培养基、0.1-0.15mg/L萘乙酸(NAA)、0.5-1.0mg/L的6-苄氨基腺嘌呤(6-BA)、3wt%蔗糖、0.8wt%琼脂;

(2)不定芽的增殖:诱导结束后,将茎段在节间处长出新芽切下,接种于诱导培养基中继代增殖30-32d,在切口处获得丛生芽;

(3)壮苗及生根移栽:将丛生芽切成单苗,转入壮苗培养基中进行壮苗培养20d,当芽发育为高2-3cm、并具有2-3片叶片时即可进行生根培养,生根培养时间为28d;其中壮苗培养基为:MS基本培养基、3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂、3wt%有机肥;生根培养基为:1/2MS基本培养基、0.3-0.5mg/L萘乙酸、0.3-0.5wt%活性炭。

上述各步骤中,培养温度均为25±2℃,光照强度为2000 lx,光照时间为10-12h/d。

本发明的技术效果:(1)本发明的铁皮石斛的快速繁殖方法,诱导阶段采用的诱导培养基适于腋芽诱导,诱导率高,芽健壮且外植体无褐化,生根阶段采用的生根培养基采用了萘乙酸搭配活性炭,对铁皮石斛试管苗生根具有较好的促进作用,本方法培植的铁皮石斛丛生芽的平均株高、平均根数及平均根长具有显著提高,株高达3.9cm以上、根数达4根以上,根长达1.5cm以上。(2) 铁皮石斛原球茎的增殖、分化及生根壮苗阶段是组培苗繁殖的关键。现有技术完成该阶段要求需要转接至少3 次3 种培养基。而采用本申请的培养基后,经观察,减少转接次数1-2次,降低了污染,降低了成本,提高了组培苗存活率达30%以上。

具体实施方式

本实施例的铁皮石斛的快速繁殖方法,包括以下步骤:

(1)不定芽诱导:取铁皮石斛当年生幼嫩茎段,切成长度为1-1.5cm、带1-2个腋芽的小茎段,冲洗后,先用75%的酒精浸泡30s,然后用0.1%的氯化汞消毒10min,再经无菌水冲洗5次;

将消毒完的石斛茎段在诱导培养基中培养30d,该诱导培养基为:MS基本培养基、0.1mg/L萘乙酸、0.5mg/L的6-苄氨基腺嘌呤、3wt%蔗糖、0.8wt%琼脂;

(2)不定芽的增殖:诱导结束后,将茎段在节间处长出新芽切下,接种于诱导培养基中继代增殖30d,在切口处获得丛生芽;

(3)壮苗及生根移栽:将丛生芽切成单苗,转入壮苗培养基中进行壮苗培养20d,当芽发育为高2-3cm、并具有2-3片叶片时即可进行生根培养,生根培养时间为28d;其中壮苗培养基为:MS基本培养基、3wt%蔗糖、0.7wt%琼脂、3wt%有机肥;生根培养基为:1/2MS基本培养基、0.5mg/L萘乙酸、0.5wt%活性炭。

上述各步骤中,培养温度均为25℃,光照强度为2000 lx,光照时间为12h/d。

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