[发明专利]一种单晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法

说明书

 

技术领域

    本发明提供了一种太阳能电池用银浆的制备方法，特别是指电池正面所用银浆的制备方法，属于太阳能电池制造技术领域。

 

背景技术

    2007年，我国太阳能电池产量约占世界总产量的三分之一，成为世界第一大太阳能电池生产国。尽管我国从2007年开始成为世界生产太阳能电池最多的国家，但与国外还有不少的差距。而且，在各种新型太阳能电池的开发上，我们还处在起步的阶段，而国外已经有了很大的发展，因此，我国太阳能电池的发展任重而道远。

太阳能电池一般可以分为单晶硅太阳能电池与多晶硅太阳能电池，单晶硅和多晶硅都是单质硅的一种形态。单晶硅即原子排列得非常整齐，晶格位向完全一致，且无任何缺陷存在。 多晶硅即由许多位向不同的晶格组成，且其内部还存在着多种晶体缺陷。单晶是采取直拉发生产，直拉过程就是一个原子结构重组的过程。而多晶多采用浇注法生产，就是直接把硅料倒入坩埚中融化定型。单晶硅片为方圆形，多晶硅为方形。对太阳电池来讲，方形基片更合算，通过浇铸法和直接凝固法所获得的多晶硅可直接获得方形材料。单晶硅电池具有电池转换效率高，稳定性好，但是成本较高；多晶硅电池成本低，但转换效率略低于单晶硅太阳能电池。

单晶硅太阳能电池生产过程主要包括有如下的步骤：1. 拉晶：主要的原料为二氧化硅，利用晶种在拉晶炉中成长出一单晶硅棒。2. 修角：通常把太阳电池芯片串联成一方形阵，为了数组排列更紧密，先将单晶硅棒修角成四方形。 3. 切片：用切片机将单晶硅棒切成厚度约0.5毫米的晶圆4. 刻蚀：去除在切片过程中所造成的应力层。抛光降低微粒附着在晶圆上的可能性。5. 清洗：把晶圆表面的杂质污染物去除。6. 扩散：采用p型的基板，利用高温热扩散的处理，使p型的基板上形成一层薄薄的n型半导体。7. 网印或蒸镀：在晶圆的表面接出导电电极，完成一个简单的太阳电池。

但是目前使用的单晶硅电池正面用银浆存在着电阻率较高的问题，使太阳能电池的效率不高。

 

发明内容

本发明的目的是：提供一种单晶硅太阳能电池正面电极银浆，其需要具有较低的电阻率，提高太阳能电池的发电效率。技术方案如下：

一种单晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法，包括如下步骤：

第1步，按重量份计，取硫酸镁1～5份、磷酸铵1～3份、硫酸铜0.01～0.02份、四硼酸钠0.4～0.8份、氧化锌4～8份、氧化银6～15份、氧化钛4～6份、氧化硅20～30份，在1200～1250℃下熔炼45～60 min，然后将融熔物放入水中淬火，再将淬火产生的块状物粉碎至200目以下，得到粉体I；

第2步，将粉体I与100～150重量份的碳粉混合均匀，再在1100～1200℃下于马弗炉中烧结2～3h，放冷后，取出，得到粉体II；

第3步，将粉体II研磨至平均粒径在3～6微米，得到粉体III；

第4步，将粉体III与200～300重量份的银粉、200～400重量份的有机溶剂、20～30重量份的分散剂混合均匀，即得银浆。

更优选的，所述的银粉的平均粒径是在0.5～2微米。

更优选的，所述的有机溶剂是松油醇或者有机硅油。

更优选的，所述的分散剂是1-甲基戊醇或者三乙基己基磷酸。

 

有益效果

    本发明提供的单晶硅太阳能电池正面电极银浆，通过在银浆中加入改性玻璃粉，使银浆的电阻降低，各个组分之间融合更好。

 

具体实施方式

 

实施例1

一种单晶硅太阳能电池正面电极银浆的制备方法，包括如下步骤：

第1步，按重量份计，取硫酸镁1份、磷酸铵1份、硫酸铜0.01份、四硼酸钠0.4份、氧化锌4份、氧化银6份、氧化钛4份、氧化硅20份，在1200℃下熔炼45min，然后将融熔物放入水中淬火，再将淬火产生的块状物粉碎至200目以下，得到粉体I；

第2步，将粉体I与100重量份的碳粉混合均匀，再在1100℃下于马弗炉中烧结3h，放冷后，取出，得到粉体II；

第3步，将粉体II研磨至平均粒径在3～6微米，得到粉体III；

第4步，将粉体III与200重量份的银粉、200重量份的有机溶剂、20重量份的分散剂混合均匀，即得银浆。

所述的银粉的平均粒径是在0.5～2微米，所述的有机溶剂是松油醇，所述的分散剂是1-甲基戊醇。