[发明专利]镂空结构的双波长太赫兹波开关

权利要求书

1. 一种镂空结构的双波长太赫兹波开关，其特征在于包括太赫兹波输入端（1）、第一输出端（2）、第二输出端（3）、镂空平板（4）；镂空平板（4）的上部从上到下顺次设有第一孔状镂空阵列（5）和第二孔状镂空阵列（6）；镂空平板（4）的下部从下到上顺次设有第五孔状镂空阵列（9）和第四孔状镂空阵列（8）；第二孔状镂空阵列（6）和第四孔状镂空阵列（8）之间设有第三孔状镂空阵列（7）；第一孔状镂空阵列（5）、第二孔状镂空阵列（6）、第三孔状镂空阵列（7）、第四孔状镂空阵列（8）和第五孔状镂空阵列（9）均由孔状镂空（10）排列而成；第五孔状镂空阵列（9）的中间左侧设有太赫兹波输入端（1），第五孔状镂空阵列（9）的中间右侧设有第一输出端（2），第一孔状镂空阵列（5）的中间右侧设有第二输出端（3）；当频率为0.70THz的太赫兹波从太赫兹波输入端（1）输入时，能量直接从第一输出端（2）输出；当频率为0.85THz的太赫兹波从太赫兹波输入端（1）输入时，通过第二孔状镂空阵列（6）、第三孔状镂空阵列（7）和第四孔状镂空阵列（8）的耦合作用，能量将从第二输出端（3）输出，实现双波长开关的作用。

2. 根据权利要求1所述的一种镂空结构的双波长太赫兹波开关，其特征在于所述的孔状镂空（10）的半径为50~60μm。

3. 根据权利要求1所述的一种镂空结构的双波长太赫兹波开关，其特征在于所述的第一孔状镂空阵列（5）由三排孔状镂空（10）组成；其中第一排孔状镂空的个数与第三排孔状镂空的个数相等，为12个；第二排孔状镂空的个数为6个；第二排孔状镂空与第一排孔状镂空和第三排孔状镂空错位排列，横向相邻两孔状镂空（10）之间的距离均为50~60μm。

4. 根据权利要求1所述的一种镂空结构的双波长太赫兹波开关，其特征在于所述的第二孔状镂空阵列（6）和第四孔状镂空阵列（8）的结构尺寸参数相同，均由三排孔状镂空（10）组成；其中第一排孔状镂空的个数与第三排孔状镂空的个数相等，为3个，横向相邻两孔状镂空（10）之间的距离均为50~60μm；第二排孔状镂空的个数为4个，第二排孔状镂空与第一排孔状镂空和第三排孔状镂空错位排列，横向从左到右相邻两孔状镂空（10）之间的距离分别为20~30μm 、110~120μm和20~30μm。

5. 根据权利要求1所述的一种镂空结构的双波长太赫兹波开关，其特征在于所述的第三孔状镂空阵列（7）由一排孔状镂空（10）组成；孔状镂空（10）的个数12个；相邻两孔状镂空（10）之间的距离均为50~60μm。

6. 根据权利要求1所述的一种镂空结构的双波长太赫兹波开关，其特征在于所述的第五孔状镂空阵列（9）由三排孔状镂空（10）组成；其中第一排孔状镂空的个数与第三排孔状镂空的个数相等，为12个；第二排孔状镂空的个数为5个，第二排孔状镂空与第一排孔状镂空和第三排孔状镂空错位排列，横向相邻两孔状镂空（10）之间的距离均为50~60μm。

7. 根据权利要求1所述的一种镂空结构的双波长太赫兹波开关，其特征在于所述的镂空平板（4）的材料为高阻硅。