[发明专利]一种裸芯片冲击振动试验夹具及裸芯片的装夹方法有效

专利信息
申请号: 201310589124.3 申请日: 2013-11-21
公开(公告)号: CN103575486A 公开(公告)日: 2014-02-12
发明(设计)人: 肖勇兵;苏亚慧 申请(专利权)人: 华东光电集成器件研究所
主分类号: G01M7/00 分类号: G01M7/00
代理公司: 安徽省蚌埠博源专利商标事务所 34113 代理人: 杨晋弘
地址: 233042 安徽*** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 芯片 冲击 振动 试验 夹具 方法
【说明书】:

技术领域

发明涉及裸芯片进行机械冲击或振动试验领域,特别涉及一种裸芯片冲击振动试验夹具及裸芯片的装夹方法。

背景技术

微电子技术是实现电子系统小型化、多功能、高可靠的重要途径,近年来在各种武器装备中得到了广泛应用,同时,随着宇航技术的发展,对其所使用的元器件的可靠性要求非常高,所以对组成元器件的裸芯片等的可靠性要求也非常高,而机械冲击以及振动试验也是保证裸芯片可靠性的手段。

机械冲击试验目的是测定微电路能否适用在需经受中等严酷程度冲击的电子设备中,这种冲击是在装卸、运输或现场操作中由于突然受力或运动状态突然变化而产生的。这种类型的冲击可能破坏工作特性或引起类似于因振动太强而造成的损坏。若冲击脉冲是重复性的,则损坏更严重。

振动试验的目的是确定产品从制成开始,在运输、使用及工作过程中能承受外来的振动或自身产生的振动时,而不被破坏并能保持其原有性能,达到预期的寿命和可靠性。

进行机械冲击试验时,微电路的常规装夹方法是:在冲击试验台的台面上设有多列多排螺栓孔的安装板,安装板上设有多排多列螺栓孔的立板,混合集成器件放置在安装板或立板上,混合集成器件上设有压板,压板上开有通孔,螺栓穿过通孔旋入所述安装板的螺孔内并将混合集成器件压紧在压板和安装板之间。使用这种安装微电路的方法,在进行较高的峰值加速度的机械冲击试验时,微电路不仅需要承受峰值加速度的高过载水平,同时需要承受压条在高加速冲击下产生的额外冲击应力,测量出的并不是微电路真实能承受的高过载水平,同时,当微电路固定在立板和压条之间,进行X、Z方向的高加速冲击试验时,单单依靠压条的压力是固定不住微电路的,从而微电路在高加速机械冲击作用下,会产生位移,从而具有非常大的缓冲作用,而使微电路承受的高过载应力水平比数据采集软件测量得到的机械冲击加速度水平低得多,如果位移较大,还有可能损坏微电路。经过广泛检索,尚未发现较为理想的技术方案。

发明内容

本发明的目的是为了解决现阶段裸芯片的冲击或者振动试验数据采集不够精确,在试验时微电路易损坏等缺点,而提出的一种裸芯片冲击振动试验夹具及裸芯片的装夹方法。

为了实现上述目的,本发明采用了如下技术方案:

一种裸芯片冲击振动试验夹具,包括矩形的夹具体,其特征在于, 

a、在夹具体的上表面设有承载裸芯片的平面;

b、在夹具体侧面设有一组固定裸芯片的凹槽;

c、在夹具体的下表面设有与载物台配合的支撑平面。

一种用于裸芯片的装夹方法,包括以下步骤:

a、在夹具体的承载平面上或凹槽内抹胶;

b、在夹具体抹胶的表面粘接裸芯片;

c、裸芯片粘接在夹具体上后进行胶的固化。

在上述技术方案的基础上,可以有以下进一步的技术方案:

所述的夹具体的上表面与凹槽的侧面和下表面的表面粗糙度为0.8-3.2。

在抹胶前清洗需要抹胶的表面。

在胶固化后把夹具体连接在载物台上,进行相应的冲击或者振动试验。

在取裸芯片时,将粘接有裸芯片的夹具体浸泡在40℃~50℃的去离子水中 10min~15min,裸芯片从夹具体上自动脱落。

取下裸芯片后,再将裸芯片放置到纯的化学酒精中,浸泡10min~15min,用以除去表面残留的胶。

裸芯片通过酒精浸泡后,取出裸芯片用加热档的吹风机,把裸芯片表面的酒精吹干。

所述的胶为水溶胶。

在取放裸芯片时使用软质的镊子,所述采用的镊子塑料等较软的材料制成。

当裸芯片需要进行正面和侧面测试时,将裸芯片粘接在夹具体的上表面,当裸芯片需要进行侧面测试时,将裸芯片粘接在凹槽中,所述的凹槽的深度和宽度与根据裸芯片的大小相对应。

所述的夹具体为比刚度大于等于铝的金属材料,其刚度比较大,在机械冲击或振动试验时,能够把设备输出的冲击波形以及振动波形完全不失真地传递给试验样品。

所述的胶具有粘性较强、容易清洗、传递特性要好和固化时间短等特性,它能够实现把粘好的裸芯片在冲击或振动的过程中不会脱胶或反弹;清洗工艺能与半导体中的清洗工艺兼容,而不会对裸芯片造成污染和损坏;试验结果真实,满足标准要求;可以在常温下固化,且固化时间较短等效果。

本发明的优点在于:本装置结构简单,易于加工,试验效果好;在使用本方法进行冲击或振动试验时,能有效保护裸芯片,使其不受污染和损伤。

附图说明

图1是本发明的基本结构示意图。

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