[发明专利]一种金纳米粒子单层膜的制备方法及其装置

权利要求书

1.一种金纳米粒子单层膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

⑴运用烟囱装置控制金纳米溶胶的挥发，在含有金纳米粒子的金溶胶的气液界面制备金纳米粒子单层膜；

⑵运用垂直提拉法将金纳米粒子单层膜转移至固相基底上；

⑶将附有金纳米粒子单层膜的基底置于真空溅镀机中，表面溅镀一层微量金，得到稳定的金纳米粒子单层膜。

2.根据权利要求1所述的金纳米粒子单层膜的制备方法，其特征在于：所述的金溶胶中金纳米粒子粒径为30～60 nm。

3.根据权利要求1所述的金纳米粒子单层膜的制备方法，其特征在于：所述的表面溅镀一层微量金的金层厚度为大于等于1 nm，小于等于 2 nm。

4.根据权利要求1所述的金纳米粒子单层膜的制备方法，其特征在于：所述的固相基底为硅片、导电玻璃。

5.一种按权利要求1方法制备金纳米粒子单层膜的装置，其特征在于：所述的烟囱装置包括上下贯通的两部分，下部为呈圆柱状的容器腔（4），上部为呈轮台状的抽气管（2），顶部开有气孔（1）。

6.根据权利要求5所述的制备金纳米粒子单层膜的装置，其特征在于：下部容体腔（4）的直径为13 mm，容积为5 mL，容体腔3 mL处的壁上开有四个均匀分布的圆孔（3），圆孔（3）的直径为1 mm；上部抽气管（2）的高度为71 mm，顶部气孔（1）的直径为1 mm。