[发明专利]复合渐变折射层结构及包括此结构的封装结构无效
申请号: | 201310586720.6 | 申请日: | 2013-11-20 |
公开(公告)号: | CN103887441A | 公开(公告)日: | 2014-06-25 |
发明(设计)人: | 陈俊廷;林昆蔚;赖丰文 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/54 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 陈小雯 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 复合 渐变 折射 结构 包括 封装 | ||
1.一种复合渐变折射层结构,包括:
基板;以及
复合渐变折射(graded refractive index,GRI)层,形成于该基板上,其中该复合渐变折射层具有第一表面与一第二表面,该第一表面为一入光侧,该第二表面为一出光侧,该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成,且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减。
2.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构,其中该氧化锌硅具有化学式ZnxSiyOz,0≤x≤1,0≤y≤1,0<z≤3。
3.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构,其中该复合渐变折射层的折射率介于1.46~2.3之间。
4.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构,其中该复合渐变折射层包括第一折射层与第二折射层,该第一折射层具有第一折射率,该第二折射层具有第二折射率,该第一折射层包括该第一表面,该第二折射层包括该第二表面,该第一折射率大于该第二折射率。
5.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构,其中该复合渐变折射层包括第一折射层、第二折射层与一第三折射层,该第一折射层具有第一折射率,该第二折射层具有第二折射率,该第三折射层具有第三折射率,该第一折射层包括该第一表面,该第三折射层包括该第二表面,该第一折射率大于该第二折射率,该第二折射率大于该第三折射率。
6.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构,其中该复合渐变折射层包括第一折射层、第二折射层、第三折射层与第四折射层,该第一折射层具有第一折射率,该第二折射层具有第二折射率,该第三折射层具有第三折射率,该第四折射层具有第四折射率,该第一折射层包括该第一表面,该第四折射层包括该第二表面,该第一折射率大于该第二折射率,该第二折射率大于该第三折射率,该第三折射率大于该第四折射率。
7.如权利要求1所述的复合渐变折射层结构,其中该复合渐变折射层包括第一折射层、第二折射层、第三折射层、第四折射层与第五折射层,该第一折射层具有第一折射率,该第二折射层具有第二折射率,该第三折射层具有第三折射率,该第四折射层具有第四折射率,该第五折射层具有第五折射率,该第一折射层包括该第一表面,该第五折射层包括该第二表面,该第一折射率大于该第二折射率,该第二折射率大于该第三折射率,该第三折射率大于该第四折射率,该第四折射率大于该第五折射率。
8.一种封装结构,包括:
基板;
复合渐变折射层,形成于该基板上,其中该复合渐变折射层具有第一表面与第二表面,该第一表面为一入光侧,该第二表面为一出光侧,该复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成,且该复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减;以及
电子元件,设置于该复合渐变折射层的该第一表面。
9.如权利要求8所述的封装结构,其中该氧化锌硅具有化学式ZnxSiyOz,0≤x≤1,0≤y≤1,0<z≤3。
10.如权利要求8所述的封装结构,其中该复合渐变折射层的折射率介于1.46~2.3之间。
11.如权利要求8所述的封装结构,还包括第二复合渐变折射层,形成于该电子元件上。
12.如权利要求11所述的封装结构,其中该第二复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成。
13.如权利要求12所述的封装结构,其中该氧化锌硅具有化学式ZnxSiyOz,0≤x≤1,0≤y≤1,0<z≤3。
14.一种封装结构,包括:
基板;
第一复合渐变折射层,形成于该基板上,其中该第一复合渐变折射层具有第一表面与第二表面,该第一表面为一入光侧,该第二表面为一出光侧,该第一复合渐变折射层的各层由氧化锌硅所构成,且该第一复合渐变折射层的折射率自该第一表面至该第二表面递减;以及
电子元件,设置于该第一复合渐变折射层的该第一表面与该基板之间。
15.如权利要求14所述的封装结构,其中该氧化锌硅具有化学式ZnxSiyOz,0≤x≤1,0≤y≤1,0<z≤3。
16.如权利要求14所述的封装结构,其中该第一复合渐变折射层的折射率介于1.46~2.3之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件;专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的;具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射;专门适用于将这些辐射能转换为电能,或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的,如有机发光二极管
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