[发明专利]用于EEPROM的高压幅值控制电路在审

专利信息
申请号: 201310561687.1 申请日: 2013-11-12
公开(公告)号: CN104637533A 公开(公告)日: 2015-05-20
发明(设计)人: 顾明;夏天;傅志军 申请(专利权)人: 上海华虹集成电路有限责任公司
主分类号: G11C16/06 分类号: G11C16/06;G11C16/14
代理公司: 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 代理人: 戴广志
地址: 201203 上海*** 国省代码: 上海;31
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 用于 eeprom 高压 控制电路
【权利要求书】:

1.一种用于EEPROM的高压幅值控制电路,其特征在于:包括:

一高压分压电路,用于对高压生成电路输出的高压输出信号VPP进行分压,产生分压电压信号Vcomp;

一差分电压比较电路,用于比较所述分压电压信号Vcomp与基准电压信号Vref的电压幅值,产生时钟生成电路的使能信号CLKEN;

一时钟生成电路,与所述差分比较电路相连接,在EEPROM处于擦写操作状态时,在所述使能信号CLKEN的控制下产生高压生成电路所需要的时钟信号CPCLK。

2.如权利要求1所述的高压幅值控制电路,其特征在于:

当所述高压输出信号VPP未达到EEPROM擦写所需要的额定高压时,所述使能信号有效,时钟生成电路产生有效时钟信号,使高压生成电路处于工作状态;

当所述高压输出信号VPP达到EEPROM擦写所需要的额定高压时,所述时钟使能信号无效,时钟生成电路产生无效时钟信号,使高压生成电路处于空闲状态;

当所述高压输出信号VPP幅值低于EEPROM擦写所需要的额定高压,所述时钟使能信号再次有效,高压生成电路重新处于工作状态。

3.如权利要求1所述的高压幅值控制电路,其特征在于:

所述时钟生成电路为一三输入端的与门,分别输入输入时钟CLKIN、EEPROM擦写操作状态信号CPEN和使能信号CLKEN;

当EEPROM擦写操作状态信号CPEN为低电平时,EEPROM处于非擦写操作状态,所述时钟生成电路输出的时钟信号CPCLK为低电平,为无效时钟信号,使高压生成电路处于空闲状态;

当EEPROM擦写操作状态信号CPEN为高电平时,EEPROM处于擦写操作状态,当所述使能信号CLKEN也为高电平时,所述时钟生成电路输出有效时钟信号CPCLK,使高压生成电路处于工作状态。

4.如权利要求1所述的高压幅值控制电路,其特征在于:

所述高压分压电路为电容分压的高压分压电路,由三个电容串联在高压生成电路输出端与地之间,对高压输出信号VPP进行分压;在第一电容与第二电容的连接节点与地之间串联一可控开关;在第二电容与第三电容的连接节点与地之间串联另一可控开关,且第二电容与第三电容的连接节点作为分压电压信号Vcomp的输出端;所述可控开关由EEPROM擦写操作状态信号CPEN反相后产生的擦写无效信号CPENB控制;

当EEPROM处于非擦写操作状态时,EEPROM擦写操作状态信号CPEN为低电平,时钟信号CPCLK为低电平,高压生成电路处于空闲状态,高压输出信号VPP幅值为EEPROM芯片电源电压VDD;擦写无效信号CPENB为高电平,使可控开关接通,高压分压电路内部所述各节点接地为低电平,其产生的分压电压信号Vcomp为低电平;分压电压信号Vcomp小于基准电压信号Vref的电压幅值,差分电压比较电路的输出地使能信号CLKEN为高电平;

当EEPROM处于擦写操作状态时,EEPROM擦写操作状态信号CPEN为高电平,擦写无效信号CPENB为低电平,使可控开关打开,此时高压输出信号VPP处于上升阶段,分压电压信号Vcomp小于基准电压信号Vref的电压幅值,差分电压比较电路的输出地使能信号CLKEN为高电平;时钟生成电路输出有效时钟信号CPCLK,高压生成电路处于工作状态,保持高压输出信号VPP幅值不断升高;

当高压输出信号VPP幅值达到EEPROM擦写操作所需要的额定高压后,分压电压信号Vcomp电压幅值高于基准电压信号Vref电压幅值,差分电压比较电路输出的使能信号CLKEN为低电平,时钟生成电路输出无效时钟信号CPCLK,高压生成电路处于空闲状态,导致高压输出信号VPP信号幅值略有下降;

当高压输出信号VPP下降到一定电压幅值后,经过分压电压信号Vcomp电压幅值低于基准电压信号Vref电压幅值,差分电压比较电路输出的使能信号CLKEN为高电平,时钟生成电路输出有效时钟信号CPCLK,高压生成电路重新处于工作状态,使得保持高压输出信号VPP幅值重新升高。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹集成电路有限责任公司,未经上海华虹集成电路有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310561687.1/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top