[发明专利]一种自适应的芯片擦除字线分组的装置和方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种自适应的芯片擦除字线分组的装置和方法。

背景技术

闪存（Flash Memory）是一种长寿命的非易失性（在断电情况下仍能保持所存储的数据信息）的存储器，数据删除不是以单个的字节为单位而是以固定的区块为单位。由于其断电时仍能保存数据，闪存通常被用来保存设置信息，如在电脑的BIOS（基本输入输出程序）、PDA（个人数字助理）、数码相机中保存资料等。NOR Flash和NANDFlash是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。NOR Flash的特点是芯片内执行（XIP，eXecute In Place），这样应用程序可以直接在Flash闪存内运行，不必再把代码读到系统RAM中。

Nor Flash存储区域为了节约芯片面积，一般都采用物理集中放置，构成一个存储矩阵，然后在逻辑上分成很多块，如图3所示。通常1个芯片由多个Block（块）组成，每个Block由多个Sector（段）组成。通常Nor Flash擦除的命令有三种：芯片擦除（chip erase）、块擦除(block erase)、段擦除(sector erase)，通常对芯片进行整体擦除操作时，采用分块来逐个擦除，这个分块通常为了节约擦除时间一般采用Block为单位，也就是16个Sector一起进行擦除操作，随着存储单元的缩小，65nm高阶工艺中存储单元之间的差异增大，导致单元之间的擦除速度有较大差异。

如果采用较大区域进行擦除操作，需要经过较长时间擦除才能把比较慢的存储单元擦除到目标值，这会导致比较快的存储单元被“过擦除”，芯片又需要纠正这些“过擦除”存储单元，需要耗费大量时间，甚至无法纠正“过擦除”，导致擦除失败。

因此，希望提出一种能提高当前Nor Flash芯片块擦除时间的方法。

发明内容

为了解决上述问题，本发明提供了一种自适应的芯片擦除字线分组的方法，该方法包括以下步骤：

a）对块预编程；

b）整块预擦除；

c）块内分布检测,并根据检测结果对片段进行自适应分组；

d）对不同分组逐个擦除。

与此相应的，本发明还提供了一种自适应的芯片擦除字线分组装置，包括：

分布检测电路，检查块内每个片段存储单元的分布最小值，并将存储单元分布情况提交给分组控制电路；

分组控制电路，接受来自分布检测电路的信号，对各片段区域进行分组，并将分组信号提交给片段选择器；

片段选择器，接受来自分组控制电路的信号，根据分组选择不同的擦除信号。

与现有技术相比，采用本发明提供的技术方案具有如下优点：通过自动适应存储单元之间的差异，有效地提高了Nor Flash存储器芯片的块擦除时间。

附图说明

通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显。

图1为根据本发明的实施例的自适应的芯片擦除字线分组的方法流程图；

图2为根据本发明的实施例对分组区域逐个擦除的方法流程图；

图3为Nor Flash存储区域示意图；

图4为根据本发明的实施例的块内单元分布图；

图5为根据本发明的实施例的块内片段分组装置。

具体实施方式

下面详细描述本发明的实施例。

所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此外，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。

本发明提供了一种提高芯片周期耐久性的方法。下面，将结合图1至图5通过本发明的一个实施例对此方法进行具体描述。如图1所示，本发明所提供的方法包括以下步骤：

在步骤S101中，对块预编程。