[发明专利]一种柔性基板的剥离方法有效
申请号: | 201310549945.4 | 申请日: | 2013-11-08 |
公开(公告)号: | CN104637852B | 公开(公告)日: | 2018-10-19 |
发明(设计)人: | 朱少鹏;敖伟;陈红;黄秀颀 | 申请(专利权)人: | 昆山工研院新型平板显示技术中心有限公司;昆山国显光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683 |
代理公司: | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人: | 朱振德 |
地址: | 215300 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 柔性 剥离 方法 | ||
本发明公开了一种柔性基板的剥离方法。该方法包括:A、在硬质基板上形成非结晶状的离型层,该离型层由受热后可形成片状结晶的材料制成;B、在所述离型层上形成所述柔性基板;C、在所述柔性基板上制作电子或光学器件;D、对所述离型层加热,使所述离型层转变为容易剥离的层状结构,将所述柔性基板从硬质基板上剥离。本发明的柔性基板的剥离方法,利用了离型层材料在受热后会形成片状结晶的特性,在柔性基板上制作完电子或光学器件后,通过对离型层加热,使离型层转变为容易剥离的层状结构,从而可以非常容易方便地将柔性基板从硬质基板上剥离。本发明不需要大型设备,实现起来简单、操作方便。
技术领域
本发明涉及柔性电子器件制造技术,具体地说,是一种制造柔性电子器件时,对柔性基板进行剥离的方法。
背景技术
柔性光电子学,即将光电子器件,如显示器、芯片、电路、电源、传感器等制作于可弯曲的基板之上,以实现传统光电子器件所不能实现的功能、成本或用户体验的优势。由于传统硬质基板能够与传统设备兼容,并可以精确对位形成微细图案等,现有主流的柔性器件,如柔性AMOLED的制备,需要将柔性基板先制备或吸附于硬质基板表面,进行器件制备后再将柔性基板从硬质基板上剥离。因此,剥离技术成为这类柔性器件生产的关键。
以柔性AMOLED为例,目前主流的柔性光电子器件采用激光的方式进行剥离,即在高分子基板和玻璃界面施以高强度激光,将界面的一层高分子薄层烧蚀,从而实现剥离。这种方式已能实现量产,但是由于激光扫描尺寸的限制,难以应用于大尺寸柔性屏体的制备,同时由于激光剥离设备较为复杂,仅有少数公司有能力设计,为了降低成本,需要更为简易、更不依赖于复杂设备的剥离方式。
目前也有许多研究机构和公司在剥离技术方面提供了不同的解决方案,如将载体玻璃完全刻蚀;或将玻璃上的离型层湿法刻蚀;或将屏体四周粘附于玻璃上,而中间不粘附,待器件制作完成后将中间切下等。中国专利申请200910159470.9揭示了一种剥离的方法,用带层状结构的粘土作为柔性基板,用a-Si作为离型层,给a-Si施加能量(优选激光)让其熔融,粘附性变差,从而剥离柔性基板。但是,该专利申请仅适用于特殊的粘土基板,离型层只能是a-Si,适用范围很窄;并且,从实现方式来看,该专利申请仍然需要很高的剥离能量,仍然需要如激光器这样的复杂设备。
发明内容
本发明要解决的技术问题是提供一种实现简单、成本低、容易操作的柔性基板的剥离方法。
为了解决上述技术问题,本发明提供了一种柔性基板的剥离方法,包括:
A、在硬质基板上形成非结晶状的离型层,该离型层由受热后可形成片状结晶的材料制成;
B、在所述离型层上形成所述柔性基板;
C、在所述柔性基板上制作电子或光学器件;
D、对所述离型层加热,使所述离型层转变为容易剥离的层状结构,将所述柔性基板从硬质基板上剥离。
进一步地,所述受热后可形成片状结晶的材料为过渡金属硫族化合物。
进一步地,所述受热后可形成片状结晶的材料选自WS2、WSe2、MoS2、MoSe2、TiS2、TiSe2、SnS2、Bi2Te3、Sb2Te3、TaS2、TaSe2中的一种或任意组合。
进一步地,所述步骤A之前还包括:
在所述硬质基板上形成导电层;
所述步骤A中,所述离型层形成在该导电层上;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造