[发明专利]一种高透薄膜的制备方法有效
| 申请号： | 201310548946.7 | 申请日： | 2013-11-07 |
| 公开（公告）号： | CN103643208A | 公开（公告）日： | 2014-03-19 |
| 发明（设计）人： | 陈路玉 | 申请（专利权）人： | 中山市创科科研技术服务有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/35 | 分类号： | C23C14/35;C23C14/08;C23C14/14;B32B9/04;B32B15/04 |
| 代理公司： | 中山市铭洋专利商标事务所(普通合伙) 44286 | 代理人： | 吴剑锋 |
| 地址： | 528400 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种高透薄膜的制备方法，其特征在于包括以下步骤：
A、采用氧气作为反应气体，氩气作为保护气体，直流电源溅射Nb平面靶，在透明耐热玻璃基板上磁控溅射Nb2O5层；
B、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤A中Nb2O5层上磁控溅射TiO2层；
C、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射掺铝氧化锌陶瓷靶旋转靶，在步骤B中的TiO2层上磁控溅射AZO层；
D、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射银平面靶，在步骤C中的AZO层上磁控溅射Ag层；
E、采用氩气作为反应气体，直流电源溅射NiCr合金平面靶，在步骤D中的Ag层上磁控溅射NiCr层；
F、采用氩气作为反应气体，交流电源溅射氧化钛陶瓷旋转靶，在步骤E中的NiCr层上磁控溅射TiO2层。
2.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤A中所述Nb2O5层的厚度为20～30nm，氩气与氧气的体积比为1：3，溅射压力2.5*10－3mbar，所述直流电源的溅射功率为30～45KW。
3.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤B中所述TiO2层的厚度为8～15nm，所述交流电源的溅射功率40～75KW。
4.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤C中所述AZO层的厚度为20～25nm，所述的交流电源的溅射功率20～25KW。
5.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤D所述Ag层的厚度为8～10nm，所述直流电源的溅射功率3～6KW。
6.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于步骤E中所述NiCr层的厚度为2～3nm，所述NiCr合金中Ni:Cr的摩尔比21:79，所述直流电源的溅射功率2～3KW。
7.根据权利要求1所述的一种高透薄膜的制备方法，其特征在于F中所述TiO2层的厚度为20～30nm，所述交流电源的溅射功率为100～150KW，其中包括两个阴极溅射，每个阴极50～75KW。
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