[发明专利]发光装置有效
申请号: | 201310546084.4 | 申请日: | 2013-11-06 |
公开(公告)号: | CN103811632A | 公开(公告)日: | 2014-05-21 |
发明(设计)人: | 古关正贤;矢野雄一;并木明生 | 申请(专利权)人: | 丰田合成株式会社 |
主分类号: | H01L33/48 | 分类号: | H01L33/48;C08L67/02;C08K5/3435;C08K5/3492 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 金世煜;苗堃 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 发光 装置 | ||
技术领域
本发明涉及树脂壳体内填充有用于封装LED芯片的封装材料的发光装置(LED封装件)。
背景技术
在图3(a1)所示的发光装置51(LED封装件)中,作为壳体55的材料,以往主要使用PPA(聚邻苯二甲酰胺)、液晶聚合物等。此外,为了使壳体55还起反射体的作用,在壳体55中添加白色染料,使其形成为反射率高的白色。但是,PPA因LED芯片52产生的热、光、氧的侵入而劣化,如在图3(a2)中以横影线显示的颜色褐变部58那样,白色变成褐色,因此,反射率降低,封装件亮度也降低,成为影响发光装置51使用寿命的原因。
为了解决该褐变的问题,有人提出使用PCT(Polycyclohexylene Dimethylene Terephthalate,聚环己烯二亚甲基对苯二甲酸酯)等高耐热性聚合物作为壳体材料(专利文献1~3)。
此外,由于热、光、氧侵入等,壳体55、封装材料56和晶片接合材料54等有机成分会劣化。由于这种劣化,如图3(a2)所示,壳体55与封装材料56之间的界面有时会剥离,产生缝隙59,导致反射性能下降。但是,经该缝隙59,劣化成分会被释放到封装件外,因此,劣化成分自身并不是那么大的问题。
专利文献:
专利文献1:日本特开昭53-136982号公报
专利文献2:日本特表2009-507990号公报
专利文献3:日本特开2010-270177号公报
发明内容
本发明者试验了图3(b1)所示的、使用PCT等高耐热性聚合物代替PPA作为壳体65的材料的发光装置61,并曾设想,通过这种替换,壳体65的褐变会消失,能抑制封装件亮度降低、使发光装置长寿化。
但是,试验结果表明,仅仅换成PCT等高耐热性聚合物并不能实现长寿化。这是因为,即使在该试验例中,壳体65、封装材料66和晶片接合材料64中的有机成分虽然也会由于热、光、氧的侵入等而劣化,但与以往相比,高耐热性聚合物的壳体65的劣化少,因而,在壳体65与封装材料66之间无法形成缝隙。这样,壳体的劣化成分就不能释放到封装件外,而是滞留在局部,如图3(b2)中以交差影线显示的颜色黑变部68那样,碳化(黑色化)发展,导致反射率降低。
然而,有时会向PCT中添加防止其分解、氧化、变色等用的稳定剂。对于PCT,通常选择熔点在100℃左右的稳定剂。这是因为,PCT在超过其熔点温度290℃时会分解,因此希望尽可能地降低熔融混炼温度,这种情况下,若使用高熔点的稳定剂,则为了将其熔融混炼、使其均匀分散,混炼温度的管理幅度就会变窄,因而应避免这种做法。
与此相对,本发明者发现,使用PCT作为壳体材料时,在该PCT中进一步使用通常不选择的高熔点稳定剂,能抑制劣化成分变黑,并得出这种做法的优点超过需严密进行混炼温度管理这一缺点的结论,从而完成了本发明。
本发明提供一种发光装置,其包括LED芯片、由PCT形成的壳体和填充在壳体内部、将LED芯片封装的封装材料,其特征在于,使具有比LED芯片的结温高80℃以上的熔点的稳定剂存在于壳体内壁面与封装材料之间的界面或在从该界面起的300μm以内。
1.稳定剂
1-1.稳定剂的存在方式
作为使稳定剂存在于壳体内壁面与封装材料之间的界面或在从该界面起的300μm以内的方式,无特殊限制,但可以列举以下方式。
(a)通过将稳定剂添加到壳体中而使其存在于上述界面的方式。这种情况下,稳定剂的添加量优选为壳体材料量的0.1~3质量%。
(b)通过将稳定剂添加到封装材料中而使其存在于上述界面的方式。这种情况下,稳定剂的添加量优选为封装材料量的0.1~3质量%。
(c)通过将稳定剂添加到安装LED芯片用的晶片接合材料中而使其存在于从上述界面起的300μm以内的方式。这种情况下,稳定剂的添加量优选为晶片接合材料量的0.1~20质量%,更优选为1~10质量%。
(d)通过使稳定剂附着在壳体内壁面而使其存在于上述界面的方式。这种情况下,稳定剂的添加量优选为封装材料量的0.1~3质量%。
1-2.稳定剂的例示
视LED芯片的结温而异,但作为具有比结温高80℃以上的熔点的优选的稳定剂,可以列举出以下例子。
(1)选自受阻胺系光稳定剂(HALS化合物)的化合物与羧酸或羧酸衍生物的盐样反应产物
·Nylostab S-EED(科莱恩日本公司产品,注册商标)熔点272℃
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