[发明专利]一种超低功耗高性能的LDO电路

权利要求书

1.一种超低功耗高性能的LDO电路，包括参考电流产生电路（A）、第二稳态电路（B）、电流比较电路（C）、PASS MOSS和补偿电路（E）及电压采样加电流转换电路（D）；所述参考电流产生电路（A）分别与第二稳态电路（B）、电流比较电路（C）电连接；所述第二稳态电路（B）与所述电流比较电路（C）电连接；所述电流比较电路（C）分别与电压采样加电流转换电路（D）、PASS MOSS和补偿电路（E）电连接。

2.根据权利要求1所述的一种超低功耗高性能的LDO电路，其特征在于：所述参考电流产生电路包括晶体管PMOS3、晶体管PMOS4、晶体管NMOS1、晶体管NMOS2及电阻R4；所述晶体管PMOS3的源极S与接入电压V_DDA电连接；所述晶体管PMOS3的栅极G与晶体管PMOS4的栅极G电连接；所述晶体管PMOS3的漏极D与晶体管NMOS1的漏极D相连接；所述晶体管PMOS3的栅极G与晶体管PMOS3的漏极D相连接，并形成节点Y；所述晶体管PMOS4的源极S与电阻R4的一端电连接；所述电阻R4的另一端与接入电压V_DDA相连接；所述晶体管PMOS4的漏极D与晶体管NMOS2的漏极D相连接，并汇聚于节点Y；所述晶体管NMOS2的栅极G与晶体管NMOS1的栅极G电连接，并汇聚于节点Y；所述晶体管NMOS2的栅极G与晶体管NMOS2的漏极D相连接；所述晶体管NMOS1的源极S、晶体管NMOS2的源极S分别与地线GND相连接。

3.根据权利要求1所述的一种超低功耗高性能的LDO电路，其特征在于：所述第二稳态电路包括晶体管PM0、晶体管PM1及电容C2；所述晶体管PM0的栅极G与晶体管PMOS4的栅极G电连接，并汇聚于节点Y；所述晶体管PM0的源极S与接入电压V_DDA电连接；所述晶体管PM0的漏极D分别与晶体管PM1的栅极G、电容C1的正极电连接；所述晶体管PM1的源极S与接入电压V_DDA电连接；所述晶体管PM1的漏极D与晶体管NMOS2的漏极D相连接，并形成节点X；所述电容C2的负极与地线GND相连接；

所述第二稳态电路用于防止参考电流产生电路产生的偏置电流进入第二稳态。

4.根据权利要求1所述的一种超低功耗高性能的LDO电路，其特征在于：所述电流比较电路包括晶体管PMOS5、晶体管PMOS1、晶体管PMOS2、晶体管NMOS3、晶体管NMOS4及晶体管NMOS5；所述晶体管PMOS5的源极S、晶体管PMOS1的源极S、晶体管PMOS2的源极S分别与与接入电压V_DDA电连接；所述晶体管NMOS3的源极S、晶体管NMOS4的源极S、晶体管NMOS5的源极S分别与地线GND电连接；所述晶体管PMOS5的栅极G与晶体管PMOS3的栅极G相连接；所述晶体管PMOS5的漏极D与晶体管NMOS3的漏极D电连接；所述晶体管NMOS3的栅极G分别与晶体管NMOS3的漏极D、晶体管NMOS4的栅极G电连接；所述晶体管NMOS4的漏极D与晶体管PMOS2的漏极D电连接；所述晶体管PMOS2的栅极G与晶体管PMOS1的栅极G电连接；所述晶体管PMOS1的漏极D分别与晶体管PMOS1的栅极G电连接、晶体管NMOS5的漏极D电连接。

5.根据权利要求1所述的一种超低功耗高性能的LDO电路，其特征在于：所述PASS MOSS和补偿电路包括电容C0及晶体管PMOS6；所述晶体管PMOS6的的栅极G分别与电容C0的负极、晶体管PMOS2的栅极G电连接；所述晶体管PMOS6的漏极D、晶体管PMOS6的源极S、电容C0的正极分别与接与接入电压V_DDA电连接。

6.根据权利要求1所述的一种超低功耗高性能的LDO电路，其特征在于：所述电压采样加电流转换电路包括晶体管PMOS7、晶体管PMOS8及晶体管NMOS6；所述晶体管PMOS7的源极S分别与输出电压V_OUT、接入电压V_DDA电连接；所述晶体管PMOS7的漏极D分别与晶体管PMOS7的栅极G、晶体管PMOS8的源极S电连接；所述晶体管PMOS8的漏极D分别与晶体管PMOS8的栅极G、晶体管NMOS6的漏极D电连接；所述晶体管NMOS6的栅极G分别与晶体管NMOS6的漏极D、晶体管PMOS5的栅极G电连接；所述晶体管NMOS6的源极S与地线GND相连接。