[发明专利]发光元件

权利要求书

1.一种发光元件，包含：

基板；

半导体叠层，包含第一半导体层在该基板上，主动层在该第一半导体层上，以及第二半导体层在该主动层上；以及

电极结构，在该第二半导体层上，其中该电极结构包含打线层，传导层以及第一阻障层位于该打线层及该传导层之间，

其中，该传导层的标准氧化电位高于该打线层的标准氧化电位，

其中，该第一阻障层包含多个第一金属层以及多个第二金属层互相交叠，该多个第一金属层的材料不同于该多个第二金属层的材料。

2.如权利要求1的发光元件，其中该电极结构还包含粘着层以及反射层，该反射层位于该传导层之下，该粘着层为该电极结构中最接近该半导体叠层，其中该粘着层包含铬(Cr)或铑(Rh)，该反射层包含铝(Al)或银(Ag)。

3.如权利要求1的发光元件，其中该传导层包含银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)。

4.如权利要求1的发光元件，其中该传导层的厚度与该打线层的厚度的比值范围介于0.1～10之间，且/或该传导层的导电率与该打线层的导电率的比值介于1～10之间且不包含1。

5.如权利要求3的发光元件，其中对于低到中驱动电流，该传导层的厚度与该电极结构的厚度具有一第一比值，该第一比值介于0.3～0.5之间；对于高驱动电流，该传导层的厚度与该电极结构的厚度具有一第二比值，该第二比值介于0.5～0.8之间。

6.如权利要求1的发光元件，其中该传导层的导电率与该打线层的导电率的比值介于0.1～1且不包含1。

7.如权利要求6的发光元件，其中对于低到中驱动电流，该传导层的厚度与该电极结构的厚度具有一第三比值，该第三比值介于0.4～0.7之间；对于高驱动电流，该传导层的厚度与该电极结构的厚度具有一第四比值，该第四比值介于0.55～0.85之间。

8.如权利要求1的发光元件，其中该多个第一金属层与该多个第二金属层各包含一材料选自铬(Cr)、铂(Pt)、钛(Ti)、钛钨(TiW)、钨(W)及锌(Zn)的群组。

9.一种发光元件，包含：

基板；

半导体叠层，包含第一半导体层在该基板上，主动层在该第一半导体层上，以及第二半导体层在该主动层上；以及

电极结构，在该第二半导体层上，其中该电极结构包含打线层，传导层，第一阻障层位于该打线层及该传导层之间，反射层位于该传导层之下，用以反射该主动层所发出的光线，以及第二阻障层，位于该反射层及该传导层之间，其中该第二阻障层包含多个第三金属层以及多个第四金属层互相交叠，该多个第三金属层的材料不同于该多个第四金属层的材料。

10.如权利要求9的发光元件，其中该多个第三金属层之一个比该多个第四金属层之一个厚1倍到3倍。

11.如权利要求9的发光元件，其中该多个第三金属层与该多个第四金属层各包含一材料选自铬(Cr)、铂(Pt)、钛(Ti)、钛钨(TiW)、钨(W)及锌(Zn)的群组。

12.如权利要求9的发光元件，其中该反射层包含铝(Al)或银(Ag)。

13.如权利要求9的发光元件，其中该反射层包含一厚度介于之间。

14.如权利要求9的发光元件，其中该传导层包含银(Ag)、铝(Al)或铜(Cu)。

15.如权利要求9的发光元件，其中该传导层的厚度与该电极结构的总厚度具有一第一比值介于0.3～0.5之间、一第二比值介于0.5～0.8之间、一第三比值介于0.4～0.7之间、或一第四比值介于0.55～0.85之间。

16.如权利要求9的发光元件，其中该打线层的厚度介于之间。

17.如权利要求9的发光元件，其中该第一阻障层包含第一金属层以及第二金属层，该第一金属层的材料不同于该第二金属层的材料。

18.如权利要求17的发光元件，其中该第一金属层比该第二金属层厚1倍到3倍。

19.如权利要求17的发光元件，其中该第一金属层与该第二金属层各包含一材料选自铬(Cr)、铂(Pt)、钛(Ti)、钛钨(TiW)、钨(W)及锌(Zn)的群组。