[发明专利]一种带有侧边多晶硅电极沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管在审
| 申请号： | 201310528583.0 | 申请日： | 2013-10-31 |
| 公开（公告）号： | CN103531621A | 公开（公告）日： | 2014-01-22 |
| 发明（设计）人： | 郭东辉;江凌峰 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/41 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 马应森 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 带有 侧边 多晶 电极 沟槽 非穿通型 绝缘 双极晶体管 | ||
【权利要求书】：
1.一种带有侧边多晶硅电极沟槽非穿通型绝缘栅双极晶体管，其特征在于设有金属化集电极、P型集电极区、N-型漂移区、二氧化硅侧边多晶硅氧化层、侧边多晶硅电极、金属化侧边多晶硅电极、P+体区、金属化发射极、N+型源区、P型基区、金属化栅极、多晶硅栅电极和二氧化硅栅氧化层；
所述金属化集电极位于P型集电极区的背面，N-型漂移区位于P型集电极区的正面；N+型源区和P+体区并排位于金属化发射极下方，N+型源区和P+体区与金属化发射极相连，其中，P+体区下方直接与N-型漂移区相连，N+型源区与N-型漂移区之间隔着P型基区；多晶硅栅电极设在器件顶部并位于金属化发射极的一侧，多晶硅栅电极侧面被二氧化硅栅氧化层所包围；二氧化硅栅氧化层的侧壁分别与N+型源区、P型基区和N-型漂移区接触，二氧化硅栅氧化层底部与N-型漂移区接触；侧边多晶硅电极设在器件顶部并位于金属化发射极的另一侧，侧边多晶硅电极侧边被二氧化硅侧边多晶硅氧化层所包围；二氧化硅侧边多晶硅氧化层的侧壁分别与P+体区、N-型漂移区接触，二氧化硅侧边多晶硅氧化层底部与N-型漂移区接触。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门大学，未经厦门大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310528583.0/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
