[发明专利]一种直写式光刻系统中内层对位的方法在审
申请号: | 201310520801.6 | 申请日: | 2013-10-29 |
公开(公告)号: | CN103529654A | 公开(公告)日: | 2014-01-22 |
发明(设计)人: | 陈勇;李显杰 | 申请(专利权)人: | 天津芯硕精密机械有限公司 |
主分类号: | G03F7/20 | 分类号: | G03F7/20;G03F9/00 |
代理公司: | 天津市三利专利商标代理有限公司 12107 | 代理人: | 闫俊芬 |
地址: | 300457 天津市*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 直写式 光刻 系统 内层 对位 方法 | ||
1.一种直写式光刻系统中内层对位的方法,其特征在于,包括以下步骤:
第1步,在以载板平台建立的二维直角坐标系中,计算打标装置的坐标为(xbi,ybi),其中,i为0-n的整数;
第2步,电路板放置到所述载板平台做正面曝光时,打标装置将标记同时打到所述电路板的反面,计算电路图中心点在以所述载板平台建立的二维直角坐标系中的坐标为(xL,yL),根据所述打标装置的坐标和所述电路图中心点的坐标计算出所述标记在以电路图建立的二维直角坐标系中的坐标(xBi,yBi),其中,i为0-n的整数;
第3步,将所述电路板绕曝光运行方向的垂直方向翻转180°,完成上下翻板,所述打到电路板反面的标记将翻转到电路板的上部,计算所述标记在以载板平台建立的二维直角坐标系中的坐标(xci,yci),i=0-n;
第4步,选取i=0,j等于可见标记最大的序数,代入旋转角β计算公式:arctg[(yci-ycj)/(xci-xcj)]-arctg[(yBi-yBj)/(xBi-xBj)]和平移数据计算公式: 计算出所述旋转角β和所述平移数据;
第5步,根据所述旋转角β和所述平移数据,对电路板反面曝光图形进行图像旋转和平移操作。
2.根据权利要求1所述的直写式光刻系统中内层对位的方法,其特征在于,所述xBi=xbi-xL,yBi=yL-ybi。
3.根据权利要求1或2所述的直写式光刻系统中内层对位的方法,其特征在于,所述的打标装置是指可控的uvLED或激光器。
4.根据权利要求3所述的直写式光刻系统中内层对位的方法,其特征在于,所述的标记是指uvLED或激光器打的光斑。
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