[发明专利]滤波器及其制造方法

权利要求书

1.一种滤波器，其中，所述滤波器包括串联谐振器和并联谐振器，其特征在于，至少一个串联谐振器包括质量负载，并且至少一个并联谐振器包括质量负载；

其中，所述串联谐振器的质量负载的材料不同于所述并联谐振器的质量负载的材料；

其中，所述串联谐振器的质量负载由第一材料制成，所述并联谐振器的质量负载由第二材料制成，在所述第一材料和第二材料的声阻抗均大于等于预定值的情况下，所述第一材料的声阻抗大于所述第二材料的声阻抗，在所述第一材料和第二材料的声阻抗均小于所述预定值的情况下，所述第一材料的声阻抗小于所述第二材料的声阻抗。

2.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，在多个串联谐振器具有质量负载的情况下，所述多个串联谐振器的质量负载由相同或不同的材料制成；

在多个并联谐振器具有质量负载的情况下，所述多个并联谐振器的质量负载由相同或不同的材料制成。

3.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，所述预定值在25MRayl-35MRayl范围内。

4.根据权利要求1所述的滤波器，其特征在于，每个谐振器均进一步包括：

覆盖层；

上电极，位于所述覆盖层下方；

压电层，位于所述上电极下方；

下电极，位于所述压电层下方；

声反射结构，位于所述下电极下方；

所述质量负载位于所述覆盖层和所述声反射结构之间；

其中，所述每个谐振器包括串联谐振器和并联谐振器。

5.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述质量负载位于所述上电极和所述覆盖层之间。

6.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述质量负载位于所述上电极与所述压电层之间。

7.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述质量负载位于所述压电层与所述下电极之间。

8.根据权利要求4所述的滤波器，其特征在于，所述质量负载位于所述下电极与所述声反射结构之间。

9.根据权利要求1-8中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述质量负载的材料包括金属和/或介质材料。

10.根据权利要求1-8中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述质量负载的厚度大于等于1nm，并且小于等于500nm。

11.根据权利要求1-8中任一项所述的滤波器，其特征在于，所述谐振器为薄膜体声波谐振器和/或石英晶体谐振器，其中，所述谐振器包括串联谐振器和并联谐振器。

12.一种滤波器的制造方法，其中，所述滤波器包括串联谐振器和并联谐振器，其特征在于，所述制造方法包括：

形成位于串联枝中的串联谐振器以及形成位于并联枝中的并联谐振器；

其中，在形成至少一个串联谐振器时形成该谐振器的质量负载，并且，在形成至少一个并联谐振器时形成该谐振器的质量负载；

其中，形成串联谐振器的质量负载的材料不同于形成并联谐振器的质量负载的材料；

其中，在形成谐振器的质量负载时，使用第一材料形成所述串联谐振器的质量负载，使用第二材料形成所述并联谐振器的质量负载，在使用的所述第一材料和第二材料的声阻抗均大于等于预定值的情况下，所述第一材料的声阻抗大于所述第二材料的声阻抗，在使用的所述第一材料和第二材料的声阻抗均小于所述预定值的情况下，所述第一材料的声阻抗小于所述第二材料的声阻抗。

13.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，在形成多个串联谐振器的质量负载时，由相同或不同的材料形成所述多个串联谐振器的质量负载；

在形成多个并联谐振器的质量负载时，由相同或不同的材料形成所述多个并联谐振器的质量负载。

14.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，所述预定值在25MRayl-35MRayl范围内。

15.根据权利要求12所述的制造方法，其特征在于，调整所述串联谐振器中质量负载的厚度和所述并联谐振器中质量负载的厚度，使在调整所述串联谐振器和所述并联谐振器的谐振频率时，所述串联谐振器的谐振频率与所述并联谐振器的谐振频率的差值在预定阈值内。