[发明专利]小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器有效
申请号: | 201310503791.5 | 申请日: | 2013-10-23 |
公开(公告)号: | CN103546104A | 公开(公告)日: | 2014-01-29 |
发明(设计)人: | 张万荣;丁春宝;谢红云;金冬月;陈亮;付强;赵彦晓;高栋;鲁东;周孟龙;张卿远;邵翔鹏;霍文娟 | 申请(专利权)人: | 北京工业大学 |
主分类号: | H03F1/26 | 分类号: | H03F1/26 |
代理公司: | 北京汇信合知识产权代理有限公司 11335 | 代理人: | 陈圣清 |
地址: | 100124 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 面积 线性 调谐 低噪声放大器 | ||
1.一种小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器,包括由共射级晶体管的集电极和共基极晶体管的发射极连接构成的Cascode结构,其特征在于,还包括失真抵消通路,所述失真抵消通路与所述Cascode结构的共射极晶体管的集电极和共基极晶体管的发射极相连接,所述失真抵消通路包括并联了一电容的共基极晶体管和一集电极-基极晶体管短路连接的晶体管,所述低噪声放大器的阻抗匹配通过一电阻串联一电容的并联负反馈实现。
2.如权利要求1所述的小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器,其特征在于,所述共射极晶体管的偏置采用偏置电流源实现,所述共基极晶体管的偏置采用电阻自偏置结构实现。
3.如权利要求2所述的小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器,其特征在于,所述偏置电流源由三个晶体管和三个电阻组成。
4.如权利要求3所述的小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器,其特征在于,所述失真抵消通路中,晶体管的偏置采用一晶体管和三个电阻构成的电流源实现。
5.如权利要求4所述的小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器,其特征在于,所述失真抵消通路中,通过调整偏置电压源,改变晶体管偏置,实现线性度的可调谐。
6.如权利要求5所述的小面积、线性度可调谐的高线性低噪声放大器,其特征在于,所述失真抵消通路位于所述Cascode结构的所述共射极晶体管和所述共基极晶体管之间。
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