[发明专利]一种SAW器件的腐蚀工艺

说明书

技术领域

本发明涉及一种SAW的器件的腐蚀工艺，属于SAW器件生产工艺技术领域。

背景技术

SAW是SURFACE ACOUSTIC WAVE（声表面波）的简称，是在压电固体材料表面产生和传播、且振幅随深入固体材料的深度增加而迅速减小的弹性波。

在SAW器件制作工艺中，SAW圆片生产工艺分为：清洗工艺—真空镀膜工艺—光刻工艺—修频工艺。光刻是SAW 器件制造的关键工艺，是一种复印图象同化学腐蚀相结合的综合技术。它先采用照相复印的方法，将光刻版上的图形精确的复印在涂有感光胶的金属膜层上，然后利用光刻胶的保护作用，对金属层进行选择性化学腐蚀，从而在金属层上得到与光刻版相应的图形，并要求图形线条陡直、无钻蚀、无断条和连指等。腐蚀是光刻技术中的重要工序，通过该工序，要按照光刻胶膜已显现出的图形，完整、清晰、准确地刻蚀出金属膜图形。腐蚀有干、湿法之分，干法腐蚀对正胶更合适，因为正胶抗干法腐蚀能力强。湿法腐蚀是用适当的腐蚀液将无光刻胶膜覆盖的金属膜腐蚀掉，而将有光刻胶膜覆盖的区域保留下来。湿法腐蚀包括以下三步骤：a、反应物扩散到被刻蚀物表面；b、反应物与被刻蚀薄膜反应；c、反应生成物从被刻蚀表面扩散到溶液中，并随溶液排出。

腐蚀结束，光刻胶已完成它的作用，去胶是为下工序提供一个清洁、无污染的表面。去胶的方法有溶剂去胶、氧化去胶、干法去胶。

（1）溶剂去胶：把带有光刻胶的基片浸泡在相应的有机溶剂（溶剂要加热到所需温度，并将片子浸泡一定时间）中，使聚合物溶解而把胶去掉；然后用去离子水冲洗甩干；去胶剂一般是含氯的烃化物（例如三氯乙烯等），并含有表面湿润剂。目前对各类光刻胶都有较高质量的去胶剂，可选择购用。

（2）氧化去胶：常用的适用于铝的氧化去胶剂是发烟硝酸。具体做法是，把腐蚀后的片子用去离子水冲洗并甩干，然后放入发烟硝酸中浸泡，时间5～10分钟，取出后用去离子水迅速将片上的残液冲净甩干。

（3）干法去胶（等离子体腐蚀）反应机理：在干法去胶工艺中，氧气是主要腐蚀气体。它在低压（1.3～13Pa ）反应室中受高频（13.56MHz ）电场作用，电离产生氧离子、游离态氧原子[O]、氧分子和电子等混合的等离子体，其中具有强氧化能力的游离态氧原子[O]（约占10～20% ）在高频电压作用下与光刻胶膜反应：O₂→[O]+[O]，CxHy+ [O] →CO₂↑+ H₂O↑。反应后生成的CO₂和H₂O，随即被抽走。

随着产品的批量生产，优化工艺和降低成本成为必须考虑的问题。用以上常见的3种去胶方法去胶，不管是湿法工艺还是干法工艺的工序都比较复杂，且湿法去胶时三氯乙烯在加热或高温时与氧反应生成剧毒的光气，干法去胶时反应室中的高频电场对人体辐射也比较大。

发明内容

本发明的目的是克服现有技术中存在的不足，提供一种SAW器件的腐蚀工艺，简化去胶流程并提高去胶效果，提高了工作效率，降低生产成本。

按照本发明提供的技术方案，一种SAW器件的腐蚀工艺，特征是，包括以下工艺步骤：

（1）扫胶：用等离子去胶机将光刻显影后的SAW器件上光刻区域的底膜扫除，先抽真空至5±0.5Pa，通氧气至真空度为4±1×10²Pa，功率为2400±500W，时间为60±10秒；

（2）坚膜：将扫胶后的SAW器件在120℃～150℃条件下坚膜30～120分钟；坚膜后冷却至室温；

（3）腐蚀：将磷酸和冰乙酸按体积比5±0.5:1混合均匀，水浴加热至45±1℃，恒温25～35分钟，得到腐蚀液；将坚膜后的SAW器件浸入腐蚀液中，腐蚀时间为200～300秒；

（4）腐蚀后的SAW器件用去离子水冲洗480±30秒后于离心式甩干机中吹氮气甩干，离心式甩干机的转速为1200±100转/秒，甩干时间为120±10秒，氮气的压力为0.47±0.05kg/cm²； 

（5）去胶：分别向三个容器中倒入丙酮，第四个容器中倒入无水乙醇；用镊子夹取SAW器件依次过三次丙酮和一次无水乙醇，每次过3～5秒；接着将过完丙酮和无水乙醇的SAW器件用去离子水冲洗480±30秒，再在离心式甩干机中吹氮甩干120±10秒，离心式甩干机的转速为1200±500转/秒，氮气的压力为0.47±0.05kg/cm²；