[发明专利]产生包含标准单元及存储器实例的集成电路布图的方法

权利要求书

1.一种产生集成电路布图的方法，所述布图包含标准单元及至少一个存储器实例，所述标准单元定义所述集成电路的功能组件，所述至少一个存储器实例由存储器编译器产生以定义所述集成电路的存储器设备，该方法包含以下步骤：

向所述存储器编译器提供指定了电路元件和数据的定义的存储器架构，所述定义定义了用于组合这些电路元以便产生符合所述存储器架构的存储器实例的规则；

接收指定了所欲存储器实例的一个或多个特性的输入数据；

使用所述存储器编译器以基于所述输入数据产生所述所欲存储器实例，以使得所述所欲存储器实例符合所述存储器架构；

提供标准单元库，所述标准单元库内的每个标准单元定义了相应的功能组件；

在所述存储器编译器的集成增强操作模式中，使得所述存储器编译器引用所述标准单元库的至少一个特性以便以如下形式产生所述所欲存储器实例，所述形式在所述所欲存储器实例被集成到所述布图中时将减小与所述所欲存储器实例和周围标准单元之间的边界相关联的面积开销；以及

通过利用从所述标准单元库中选择的标准单元填充在第一方向上延伸的标准单元行以便提供所述集成电路所需的所述功能组件来产生所述布图，并将由所述存储器编译器提供的所述所欲存储器实例集成至所述布图中。

2.如权利要求1所述的方法，还包括以下步骤：

向所述存储器编译器提供至少一个另外的操作模式，在所述模式中当产生所述所欲存储器实例时，所述存储器编译器不引用所述标准单元库的所述至少一个特性，与在所述集成增强操作模式中所述存储器编译器被操作时与所述边界相关联的面积开销相比，这将导致当所述所欲存储器实例被集成至所述布图中时与所述边界相关联的面积开销增加。

3.如权利要求1所述的方法，其中：

所述布图包括多晶硅层，所述多晶硅层包含在第二方向延伸穿过所述多晶硅层的多个多晶硅轨道，所述第二方向垂直于所述第一方向；

所述多晶硅层包括将所述所欲存储器实例与相邻标准单元分离的至少一个多晶硅界面区域，每个所述至少一个多晶硅界面区域提供在所述第一方向延伸的分离距离；

在所述集成增强操作模式中由所述存储器编译器引用的所述标准单元库的所述至少一个特性是指示所述标准单元库的标准单元的设计要求标准单元直接紧靠在所述第二方向延伸的所述所欲存储器实例的边缘的特性；以及

在所述存储器编译器的所述集成增强操作模式中，所述存储器编译器以如下形式产生所述所欲存储器实例，所述形式在所述所欲存储器实例被集成至所述布图中时将减小所述多晶硅界面区域的分离距离。

4.如权利要求3所述的方法，其中：

每个所述至少一个多晶硅界面区域包含在所述第二方向延伸的虚设多晶硅轨道；以及

在所述存储器编译器的所述集成增强操作模式中，所述存储器编译器以如下形式产生所述所欲存储器实例，所述形式将减少所述多晶硅界面区域中虚设多晶硅轨道的数目。

5.如权利要求4所述的方法，其中：

每个所述至少一个多晶硅界面区域包含与所述所欲存储器实例相关联的第一界面子区域和与标准单元相关联的第二界面子区域；

指示所述标准单元库的标准单元的设计要求标准单元直接紧靠在所述第二方向延伸的所述所欲存储器实例的边缘的特性是：标识在所述第二界面子区域中提供的虚设多晶硅轨道的数目的减少的特性；以及

在所述存储器编译器的所述集成增强操作模式中，所述存储器编译器以如下形式产生所述所欲存储器实例，并且与如果在产生所述所欲存储器实例时所述存储器编译器不引用所述标准单元库的所述至少一个特性的至少一个另外的操作模式中所述存储器编译器被操作时将提供的虚设多晶硅轨道相比，上述形式在所述第一界面子区域中具有较少的虚设多晶硅轨道。

6.如权利要求5所述的方法，其中：

在所述至少一个另外的操作模式中，所述第一界面子区域将包括至少一个支持虚设轨道及至少一个终止虚设轨道来作为所述虚设多晶硅轨道，所述终止虚设轨道在所述第一方向具有比每个支持虚设轨道的厚度大的厚度；以及

在所述存储器编译器的所述集成增强操作模式中，所述存储器编译器以如下形式产生所述所欲存储器实例，在所述形式中所述第一界面子区域不包括终止虚设轨道。

7.如权利要求6所述的方法，其中所述第二界面子区域也不包括终止虚设轨道。