[发明专利]隐身材料表面电磁缺陷修复方法

说明书

技术领域

本发明属于电子材料技术领域，特别涉及修复表面电磁缺陷的实现方法。

背景技术

自二战以来，隐身技术已成为世界各国的研究重点。随着隐身技术的发展，武器装备的隐身能力得到了大幅提升，其镜面、角体、腔体等强散射源已得到了有效控制。为了下一代武器装备隐身能力的进一步提升，缝隙、台阶等表面电磁缺陷成为当前隐身技术急需解决的问题。而且由于武器系统制造工艺的局限，其表面结构不可避免地存在大量的缝隙、铆钉、台阶等表面电磁缺陷，如不加以控制，一两条缝隙或台阶就足以破坏飞行器等武器装备的隐身性能，因此缝隙、台阶等表面电磁缺陷的散射控制成为当前隐身技术发展的一个重点。

在隐身设计中，采取定向开缝，铆钉排列设计等方案对缝隙、台阶等表面电磁的散射控制起到非常积极的作用。而在气动性能、制造工艺等条件限制下，上述的外形设计却受到了很大局限，这时，采取雷达隐身材料加载是一个非常有效的手段。雷达隐身材料使用方便灵活、可靠性高、电磁散射控制性能优等特点，在隐身技术发展中占重要地位。前期研究中表明，对于缝隙类电磁缺陷的散射控制中，采用材料填缝的方式时，无论电损耗材料还是磁损耗材料，他们的损耗对磁流分布基本没有衰减作用甚至会增强。对于H-极化，适当增大填充材料介电常数实部和磁导率实部均可以迅速衰减其磁流分布，但介电常数实部进一步增大后磁流分布基本无变化，磁导率实部的进一步增大导致磁流分布反而增大。对E-极化，增大介电常数实部对磁流分布基本无影响，增大磁导率实部磁流分布也逐渐增大但增大幅度非常小。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，提供一种隐身材料表面电磁缺陷修复方法，采用本发明，对表面电磁缺陷产生的后向散射有明显的抑制效果。

本发明解决所述技术问题采用的技术方案是，隐身材料表面电磁缺陷修复方法，其特征在于，包括下述步骤：采用导电胶填平缺陷缝隙，然后用电磁缺陷修复材料涂覆缺陷处。

所述电磁缺陷修复材料由微米级银粉、环氧树脂、聚氨酯预聚体、混合溶剂以及偶联剂KH560构成。各组分的具体含量可由性能需求设定。

作为一个例子，所述电磁缺陷修复材料由微米级银粉、E03牌号环氧树脂、聚氨酯预聚体、丁酮与环己酮混合溶剂以及偶联剂KH560构成，各组分的比例为：微米级银粉58～62；E03牌号环氧树脂：19～22；聚氨酯预聚体：30～34;KH560硅烷偶联剂：0.4～0.8；丁酮与环己酮混合溶剂：25～35。以上组分单位为质量份数（克），其中聚氨酯预聚体是以2,4-甲苯二异氰酸酯为单体的聚酯型预聚体。

本发明具有如下突出优点：

1.电磁缺陷修复材料对缝隙、铆钉头等表面电磁缺陷有很好的修复效果，有效降低了其后向散射；

2.与简单的采用铝箔/导电胶修复相比，本发明采用了电磁缺陷修复材料在实现同样散射控制性能的同时，具备良好的力学环境性能；

3.电磁缺陷修复材料具有重量轻，附着力强，散射控制频带宽等特点；

4.工艺简单、可操作性强，易于推广。

附图说明

图1为表面电磁缺陷载体（缝隙），其中铆钉头在示意图中没有给出，图中单位毫米。

图2为载体-10°放置入射波面定义示意图，电磁波入射方向定义为在面内逆时针旋转。

图3为载体垂直放置时入射波面定义示意图，其为图2定义的入射面的法平面旋转10°得到。其中，A为侧视图，B为正视图。

图4为9.41GHz水平极化采用电磁缺陷修复材料屏蔽缝隙及两侧钉头（但头部钉头不处理）与未处理前电磁散射特性。

图5为9.41GHz水平极化用电磁缺陷修复材料屏蔽缝隙及所有钉头与未处理前电磁散射特性。

图6为载体铆钉分布图（4排共420颗沉头螺钉均匀分布在边缘处，在图中螺钉采用圆形缝隙代替）

图7为图6中的单个螺钉示意图。

具体实施方式

具体实施方式一：

载体中心存在宽1.0mm，深1.5mm的缝隙且边缘及头部布置43颗铆钉，9.41GHz水平极化+5°到+25°的RCS平均值为-27.37dBsm，9.41GHz垂直极化0°到±15°的RCS平均值为-27.47dBsm。

若用直条铝箔屏蔽缝隙及两侧钉头，头部铆钉不屏蔽，则9.41GHz水平极化+5°到+25°的RCS平均值为-33.61dBsm，9.41GHz垂直极化0°到±15°的RCS平均值为-36.78dBsm。