[发明专利]电存储材料与数据存储器件

权利要求书

1.一种电存储材料，如式（I）所示：

其中，R₁与R₂各自独立地为碳原子数大于或等于2的烷基。

2.根据权利要求1所述的电存储材料，其特征在于，所述R₁为C2～C20的烷基。

3.根据权利要求1所述的电存储材料，其特征在于，所述R₂为C2～C10的烷基。

4.一种电存储材料的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

A）在酸性条件下，将1,5-二氨基蒽醌、亚硝酸盐与式（II）所示的化合物混合，进行重氮化偶联反应，得到式（I）所示的电存储材料；

其中，R₁与R₂各自独立地为碳原子数大于或等于2的烷基。

5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述步骤A）具体为：在0℃～5℃、酸性条件下，将1,5-二氨基蒽醌与亚硝酸盐混合，然后加入式（II）所示的化合物，进行重氮化偶联反应，得到式（I）所示的电存储材料。

6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述1,5-二氨基蒽醌与亚硝酸盐的摩尔比为1：（1～1.5）。

7.一种数据存储器件，包括底电极和顶电极，其特征在于，所述底电极与顶电极之间设置有有机薄膜层；所述有机薄膜层由权利要求1～3任意一项所述的电存储材料或权利要求4～6任意一项所制备的电存储材料形成；所述底电极与顶电极构成十字交叉状结构。

8.根据权利要求7所述的数据存储器件，其特征在于，所述有机薄膜层的厚度为40～150nm。

9.根据权利要求7所述的数据存储器件，其特征在于，所述底电极为可蒸镀金属或金属氧化物。

10.一种数据存储器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

在底电极上沉积权利要求1～3任意一项所述的电存储材料或权利要求4～6任意一项所制备的电存储材料，形成有机薄膜层，然后在有机薄膜层上真空沉积一层顶电极，得到数据存储器件；所述底电极与顶电极构成十字交叉状结构。