[发明专利]硅基薄膜太阳能电池背电极及制造方法、硅基薄膜太阳能电池

权利要求书

1.一种硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，包括：设置于所述太阳能电池发电层上的保护阻挡层，以及设置于所述保护阻挡层上的背电极材料层；

其中，所述保护阻挡层含有氧化锌的膜层或为氧化锌组合物膜层。

2.根据权利要求1所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述保护阻挡层为一层，其材质为氧化锌或掺硼氧化锌。

3.根据权利要求1所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述保护阻挡层至少为两层，且相邻两层材质分别为氧化锌或掺硼氧化锌。

4.根据权利要求2或3所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，保护阻挡层的厚度范围为20nm至1000nm。

5.根据权利要求2或3所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述保护阻挡层具有掺硼氧化锌膜层，且掺硼氧化锌膜层中硼掺杂的浓度范围为大于0，且小于等于10％。

6.根据权利要求1至3任一所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述背电极材料层为银膜层和/或铝膜层。

7.根据权利要求6所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，在所述保护阻挡层和背电极材料层之间还设置有中间层，该中间层为掺铝氧化锌膜层和/或掺镓氧化锌膜层。

8.根据权利要求7所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述中间层的厚度范围为大于等于0，且小于等于200nm；

所述中间层为掺铝氧化锌膜层或者设置有掺铝氧化锌膜层和掺镓氧化锌膜层的叠层掺铝氧化锌膜层中铝的掺杂浓度范围是大于等于0且小于等于10％；或者，

所述中间层为掺镓氧化锌膜层或者设置有掺铝氧化锌膜层和掺镓氧化锌膜层的叠层，掺镓氧化锌膜层中镓的掺杂浓度范围是大于等于0，且小于等于10％。

9.根据权利要求6所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述背电极材料层为银膜层，在所述银膜层的相对于保护阻挡层的另一侧表面上还设置有钝化保护层。

10.根据权利要求9所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述钝化保护层为单层结构，且该单层为金属钛薄膜层或铜镍合金薄膜层；或者，所述钝化保护层为至少为两层，且相邻两层为镍镉合金膜层及设置于其上的铝膜层，或者镉层及设置于其上的镍钒合金膜层。

11.根据权利要求10所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述钝化保护层的厚度范围为是大于等于20nm，且小于等于400nm；

所述背电极材料层的厚度范围是大于等于40nm，且小于等于400nm。

12.一种硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，包括发电层以及分别设置于所述发电层两侧的前电极和背电极；其中，所述背电极为权利要求1至13中任意一项所述的硅基薄膜太阳能电池背电极。

13.根据权利要求12所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述太阳能电池发电层为纳米硅和/或非晶硅的单结、双结或者多结叠层结构。

14.根据权利要求13所述的硅基薄膜太阳能电池背电极，其特征在于，所述太阳能电池发电层的厚度范围大于等于0.5微米，且小于等于5.5微米；其中所述纳米硅晶化率范围是大于等于30％，且小于等于90％。

15.根据权利要求12所述的硅基薄膜太阳能电池，其特征在于，所述前电极为掺硼氧化锌薄膜或所述前电极为掺氟氧化锡薄膜。

16.一种硅基薄膜太阳能电池背电极的制造方法，其特征在于，包括：

在硅基薄膜太阳能电池发电层上形成保护阻挡层；

在所述保护阻挡层上形成背电极材料层；其中，

所述保护阻挡层材质为含有氧化锌的膜层或为氧化锌组合物膜层；且所述保护阻挡层的形成方法包括低压化学气相沉积法。

17.根据权利要求16所述的硅基薄膜太阳能电池背电极的制造方法，其特征在于，用低压化学气相沉积法沉积生长保护阻挡层的生长速率范围是至，保护阻挡层的厚度范围是20nm至1000nm。

18.根据权利要求16所述的硅基薄膜太阳能电池背电极的制造方法，其特征在于，在所述保护阻挡层与背电极材料层之间包含中间层；其中，该中间层为掺铝氧化锌膜层和/或掺镓氧化锌膜层。