[发明专利]一种横向PNP功率晶体管

权利要求书

1.一种横向PNP功率晶体管，其特征是：一种适用于半导体衬底结构的横向功率晶体管，具有一个表面为平面的氧化物，上述晶体管包括：一系列平行连接的单独晶体管元件，按照位于具有一种导电类型的半导体表面的元件分组排列，每个元件具有一个半导体导电类型相反的发射极，以及与之有一定距离间隔的，具有上述相反导电类型的集电极，其中，上述发射极和集电极之间的空间构成了基极区域；位于中心区域的相对两侧的上述元件组，并且其沿着中心区域分布；与上述每个元件组邻近的端子，用于形成上述晶体管基极区域的分散连接；位于上述中心区域的穿接阻抗，用于形成连接至上述分散式连接端子的阻抗连接，上述晶体管元件中的基极电流是稳定平衡的；位于上述半导体氧化物顶部的金属镀层，用于相互连接上述晶体管元件，使其成为一个统一的元件，其中，上述金属镀层可以越过中心区域直接起作用，因此就能允许上述元件组平行连接而不会妨碍到上述共基连接。

2.根据权利要求1所述的一种横向PNP功率晶体管，其特征是：上述元件组包含在一个半导体材料中的单个PN的结独立区域内。

3.根据权利要求2所述的一种横向PNP功率晶体管，其特征是：导电埋层位于上述独立区域的下方，上述分散连接端子构成了一个低阻抗连接。

4.根据权利要求2所述的一种横向PNP功率晶体管，其特征是：上述穿接阻抗端子包括一个第一扩散区，其半导体导电类型与上述独立区域相反，一个第二扩散区，其导电类型与上述第一扩散区中提到的独立区域相同，并且具有波状外形，构成上述阻抗连接。

5.根据权利要求4所述的一种横向PNP功率晶体管，其特征是：上述第一和第二扩散区连接在同一末端上，该末端包括上述晶体管中的基极端连接。

6.根据权利要求1所述的一种横向PNP功率晶体管，其特征是：一种适用于双极单片式半导体集成电路的复合横向晶体管，上述符合晶体管包括一系列单独的横向晶体管元件，它们连接在一起来构成一个共基极馈送连接，一个共集电极端和一个共发射极端，上述复合晶体管包括：一个具有平面氧化物的半导体衬底；一系列焊接在上述半导体表面的单独的横向晶体管，上述晶体管至少被分为两组，位于中心线区域相对的两侧，每一组都包括一行行的单独的横向晶体管；一个焊接在上述中心线区域中半导体衬底上的电阻元件，包括用于每一个上述元件组的独立的电阻元件，上述电阻区域的一个末端构成上述共基极馈送连接；上述平面氧化物顶部的金属镀层通过上述中心线区域延伸至上述独立横向晶体管的相互平行连接的发射极和集电极，以此来构成上述共发射极和共集电极端。

7.根据权利要求6所述的一种横向PNP功率晶体管，其特征是：上述电阻元件包括一个具有波状外形的扩散区域，产生所需要的电阻值。

8.根据权利要求7所述的一种横向PNP功率晶体管，其特征是：上述电阻区域包括一个第一扩散区，其导电类型与上述半导体衬底相反，一个位于上述第一扩散区内的第二扩散区，并且第二扩散区的导电类型与上述半导体相同。

9.根据权利要求8所述的一种横向PNP功率晶体管，其特征是：上述第一、第二扩散区连接在一起，构成上述共基极馈送连接。