[发明专利]使用可变电阻材料的非易失性存储器装置

权利要求书

1.一种非易失性存储器装置，包括：

电阻存储器单元；

第一感测节点；

第一箝位单元，连接在电阻存储器单元和第一感测节点之间以向电阻存储器单元提供第一箝位偏压，其中，第一箝位偏压随时间而变化；

第一补偿单元，向第一感测节点提供补偿电流；以及

第一感测放大器，连接到第一感测节点，以感测第一感测节点的电平变化，

其中，响应于第一数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压的提供开始的时间点过去第一时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态，并且

其中，响应于不同于第一数据的第二数据存储在电阻存储器单元中，在第一箝位偏压的提供开始的时间点过去不同于第一时间量的第二时间量之后，第一感测放大器的输出值转变到不同状态，

其中，第一感测放大器响应于使能信号的激活而操作，其中，所述使能信号在读取时间段期间多次变成激活，

其中，所述非易失性存储器装置还包括：产生使能信号的使能信号产生单元，

其中，使能信号产生单元包括：

参考电阻器；

第二感测节点；

第二箝位单元，连接在参考电阻器和第二感测节点之间以向参考电阻器提供第二箝位偏压；

第二补偿单元，向第二感测节点提供第二补偿电流；以及

第二感测放大器，连接到第二感测节点以感测第二感测节点的电平变化，

其中，在读取时间段期间，第二箝位偏压随时间变化。

2.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括产生使能信号的使能信号产生单元，

其中，使能信号产生单元包括多个参考电阻器，使能信号的激活时间点对应于参考电阻器的电阻值而不同。

3.如权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中，所述读取时间段是正常读取时间段，并且，参考电阻器包括电阻存储器单元。

4.如权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中，所述读取时间段是验证读取时间段，并且，参考电阻器包含多晶硅。

5.如权利要求2所述的非易失性存储器装置，其中，使能信号产生单元包括产生多个参考输出信号的多个参考块，并且还包括接收多个参考输出信号并且输出使能信号的运算器装置。

6.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一补偿电流和第二补偿电流彼此相等。

7.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一箝位偏压和第二箝位偏压彼此相等。

8.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一补偿单元通过调节第一补偿电流的大小来调节第一感测放大器的使能时间点。

9.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一箝位偏压随时间以k阶函数的形式增大，其中，k是自然数。

10.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，其中，第一箝位偏压随时间以阶梯形式增大。

11.如权利要求1所述的非易失性存储器装置，还包括具有交叉点结构的存储器单元阵列，并且所述电阻存储器单元包括在所述存储器单元阵列中。