[发明专利]一种强粘结性、高可靠性白光LED芯片

权利要求书

1.一种强粘结性、高可靠性白光LED芯片，包括LED芯片本体和荧光转换层，其特征在于：在所述芯片本体与荧光转换层之间设置有一由改性聚氨酯类材料形成的中间层，在所述中间层与所述荧光转换层的结合面形成多个开口宽度小于内部宽度的封闭型凹槽。

2.根据权利要求1所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

所述LED芯片本体包括衬底层、覆盖在所述衬底层上的N层、部分覆盖在所述N层上的发光层、覆盖在所述发光层上的P层、覆盖在所述P层上的第一P电极、覆盖在所述第一P电极上的第一反光层、覆盖在第一反光层上的第二P电极、部分覆盖在所述N层上的第一N电极、覆盖在所述第一N电极上的第二N电极、以及隔离N单元和P单元的绝缘层，所述N单元包括N层、第一N电极和第二N电极，所述P单元包括发光层、P层、第一P电极、第一反光层和第二P电极；

所述中间层设置在芯片本体与荧光转换层之间，具体是：所述中间层设置在芯片本体的衬底层与荧光转换层之间。

3.根据权利要求2所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

所述中间层的透光率大于80%，所述中间层的折射率大于荧光转换层且小于衬底层的折射率。

4.根据权利要求1所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

所述LED芯片本体包括N层、部分覆盖在所述N层上的发光层、覆盖在所述发光层上的P层、覆盖在所述P层上的第一P电极、覆盖在所述第一P电极上的第一反光层、覆盖在第一反光层上的第二P电极、部分覆盖在所述N层上的第一N电极、覆盖在所述第一N电极上的第二N电极、以及隔离N单元和P单元的绝缘层，所述N单元包括N层、第一N电极和第二N电极，所述P单元包括发光层、P层、第一P电极、第一反光层和第二P电极；

所述中间层设置在芯片本体与荧光转换层之间，具体是：所述中间层设置在芯片本体的N层与荧光转换层之间。

5.根据权利要求1-4任一项所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

在所述中间层与所述荧光转换层之间还设置有一粘接层。

6.根据权利要求5所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

所述封闭型凹槽呈开口宽度小于内部宽度的类W形或者呈上小下大的梯形。

7.根据权利要求5所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

所述LED芯片本体的P层和N层由第三主族元素的氮化物组成。

8.根据权利要求5所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

所述荧光粉转化层由荧光粉和封装胶组成；

所述荧光粉由钇铝石榴石、镥铝石榴石、硅酸盐、氮化物中的一种或多种组成；

所述封装胶为硅胶、硅树脂或环氧树脂。

9.根据权利要求5所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

所述封闭型凹槽由刻蚀、激光表面蚀纹或纳米压印形成。

10.根据权利要求5所述的强粘结性、高可靠性白光LED芯片，其特征在于：

所述荧光转化层与中间层的结合方式为喷涂、模定（molding）、键合中的一种或多种组成。