[发明专利]晶体管器件和用于产生晶体管器件的方法

说明书

技术领域

本发明的实施例涉及晶体管器件，尤其具有集成在半导体翼片（fin）中的有源器件的晶体管器件，并且涉及用于产生晶体管器件的方法。

背景技术

FINFET是相对新型的场效应晶体管器件，其包括定位在薄半导体翼片中的体区。常规的FINFET在逻辑器件诸如微处理器中采用，并且具有几伏特的电压阻断能力。获得具有较高电压阻断能力的半导体器件的一个方法是串联连接多个FINFET并且通常地接通或关断串联电路的FINFET。

然而，存在提供带有半导体翼片的具有高于几伏特的电压阻断能力的晶体管器件的需要。

发明内容

第一实施例涉及包括至少一个晶体管单元的晶体管器件。至少一个晶体管单元包括半导体翼片和在半导体翼片中的源区、漏区、漂移区和体区。体区布置得在半导体翼片的第一方向邻近源区和漂移区，源区布置得在半导体翼片的第二方向邻近漂移区并且通过介电层与漂移区介电绝缘，以及漂移区布置得在第一方向邻近漏区并且具有低于漏区的掺杂浓度的掺杂浓度。栅电极在半导体翼片的第三方向邻近体区。

第二实施例涉及用于产生晶体管器件的方法。该方法包括提供包括至少一个半导体翼片的半导体主体。至少一个半导体翼片包括漂移区和在半导体翼片的第一方向邻接漂移区的体区。方法进一步包括：形成至少两个槽，所述至少两个槽在半导体翼片的第二方向是远离的并且每个延伸通过漂移区到体区或到体区中；在半导体翼片的至少一侧上形成邻近体区的栅电极；在所述至少两个槽中形成介电层；去除在所述至少两个槽之间的漂移区并且在所述至少两个槽之间形成源区；以及在漂移区的剩余区段中和在半导体翼片的表面的区中形成漏区。

在阅读后面的详细描述时以及在看到附图时，本领域技术人员将认识到额外的特征和优点。

附图说明

现在将参考附图解释示例。附图用来图示基本原理，从而仅图示对理解基本原理必要的方面。附图不是按比例的。在附图中相同的参考符号代表类似的特征。

图1（包括图1A到图1F）图示根据第一实施例的晶体管器件的一个晶体管单元；

图2图示根据第二实施例的晶体管器件的一个晶体管单元；

图3图示根据第三实施例的晶体管器件的一个晶体管单元；

图4图示根据第四实施例的晶体管器件的一个晶体管单元；

图5图示根据第五实施例的晶体管器件的一个晶体管单元；

图6图示根据第一实施例的包括多个晶体管单元的晶体管器件的垂直剖视图；

图7图示根据第二实施例的包括多个晶体管单元的晶体管器件的垂直剖视图；

图8图示根据进一步实施例的包括多个晶体管单元的晶体管器件的俯视图；

图9（包括图9A到图9H）图示用于产生晶体管器件的方法的一个实施例；

图10（包括图10A到图10B）图示包括衬底的晶体管器件的垂直剖视图；

图11图示衬底的一个实施例；和

图12图示衬底的进一步实施例。

具体实施方式

在后面的详细描述中，参考形成该描述的一部分并且其中图示了本发明可以在其中实践的特定实施例的附图。

图1A到图1F图示了包括至少一个晶体管单元的晶体管器件的一个晶体管单元10。图1A到图1F示出晶体管单元10的不同视图。图1A示出晶体管单元的透视图，图1B示出在第一剖面A-A中的晶体管单元的垂直剖视图，图1C示出晶体管单元的俯视图，图1D示出在第二垂直剖面B-B中的晶体管单元10的垂直剖视图，图1E示出在第三垂直剖面C-C中的晶体管单元10的垂直剖视图，以及图1F示出在第四垂直剖面D-D中的晶体管单元10的第四垂直剖视图。

参见图1A到1C，晶体管单元10包括半导体翼片110。在半导体翼片110中，晶体管器件包括源区11、体区12、漂移区13和漏区14。半导体翼片110可以包括常规的半导体材料，诸如硅（Si）、碳化硅（SiC）、砷化镓（GaAs）、氮化镓（GaN）、或类似物。