[发明专利]一种用于测量深低温强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔

权利要求书

1.一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，包括：同轴电缆组件（101）、微波隔板和面板安装式连接器（102）、谐振腔盖板（103）、谐振腔（104）、铜片A（105）、铜片B（106）、螺丝A（107）和螺丝B107；其特征在于：

所述的同轴电缆组件（101）和微波隔板和面板安装式连接器（102）连接，所述的同轴电缆组件（101）的连接器采用公头，它与微波隔板和面板安装式连接器（102）的母头连接器直接相连；有两组微波隔板和面板安装式连接器（102）分别与两组同轴电缆组件（101）相连，其末端有天线，分别用于发射微波和接收微波；两组微波隔板和面板安装式连接器（102）通过螺丝B（108）固定于谐振腔盖板（103）上，微波隔板和面板安装式连接器（102）下端天线对准谐振腔盖板（103）中间孔洞，用螺丝B（108）固定；谐振腔盖板（103）短边两个三等分点上各有一个螺孔，与谐振腔（104）两端螺孔对应，通过螺丝A（107）与谐振腔（104）固定；谐振腔盖板（103）中央开有两个小孔，微波通过微波隔板和面板安装式连接器（102）的天线发射端通过其中一小孔进入谐振腔（104），经谐振腔（104）吸收后沿另一小孔传出，再经由另一微波隔板和面板安装式连接器（102）、另一同轴电缆组件（101）输出。谐振腔盖板（103）由螺丝A（107）固定在谐振腔（104）上，调节谐振腔大小的铜片A（105）和铜片B（106）竖直放置在谐振腔（104）内以调节其谐振腔的大小，从而调节谐振腔（104）的谐振频率，实现不同频率微波下的测量。

2.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，其特征在于：所述的同轴电缆组件（101）工作频率范围应与谐振腔（104）谐振频率相对应，其损耗、驻波、机械相位稳定性应符合测试要求。

3.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，其特征在于：所述的微波隔板和面板安装式连接器（102）的工作频率应满足包含谐振腔（104）的谐振频率。

4.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，其特征在于：所述的谐振腔（104）形状为中空有底圆柱形，中间挖空一长方体，形成谐振腔，四周可为圆弧状，两边有支架，可用螺丝B（108）固定于测试所需位置；另两侧边上朝上有用于固定谐振腔盖板（103）的螺孔；谐振腔（104）采用紫铜，表面镀银。

5.根据权利要求1所述的一种用于测量深低温、强磁场下样品表面态的吸收式谐振腔，其特征在于：所述的螺丝A（107）及螺丝B（108）采用铜质螺丝。