[发明专利]一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器有效
| 申请号： | 201310461747.2 | 申请日： | 2013-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN103474503A | 公开（公告）日： | 2013-12-25 |
| 发明（设计）人： | 康俊勇;高娜;黄凯;陈雪;林伟;李书平;陈航洋;杨旭;李金钗 | 申请（专利权）人： | 厦门大学 |
| 主分类号： | H01L31/101 | 分类号： | H01L31/101;H01L31/0248 |
| 代理公司： | 厦门南强之路专利事务所(普通合伙) 35200 | 代理人： | 刘勇 |
| 地址： | 361005 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 二维 晶格 紫外 波长 msm 光电 探测器 | ||
1.一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于包括衬底、具有量子能级的二维晶格和金属叉指电极；
所述二维晶格在衬底上交替生长，交替生长的周期为至少20个；每个交替生长周期的二维晶格由第一介质膜层与第二介质膜层形成，第一介质膜层的禁带落在第二介质膜层的禁带中，成为半导体Ⅰ类超晶格，第一介质膜层作为势阱，第二介质膜层作为势垒，金属叉指电极与二维晶格形成肖特基接触。
2.如权利要求1所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述衬底为同质衬底或异质衬底。
3.如权利要求2所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述同质衬底为氮化镓或氮化铝单晶。
4.如权利要求2所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述异质衬底为蓝宝石或碳化硅。
5.如权利要求1所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述交替生长的周期为20～200个。
6.如权利要求5所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述交替生长的周期为80～110个。
7.如权利要求1所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述第一介质膜层为氮化镓单晶或铝镓氮混晶。
8.如权利要求1所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述第二介质膜层为氮化铝单晶或铝镓氮混晶。
9.如权利要求1所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述金属叉指电极为钛/金、镍/金或钛/铂/金组合。
10.如权利要求1所述的一种基于二维晶格的紫外单波长MSM光电探测器，其特征在于所述的异质衬底表面外延生长有AlN基质层，AlN基质层厚度为100nm～1μm，AlN基质层作为缓冲层。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
