[发明专利]具有内部通道区段的接近传感器装置有效
申请号: | 201310454879.2 | 申请日: | 2013-09-29 |
公开(公告)号: | CN103727965A | 公开(公告)日: | 2014-04-16 |
发明(设计)人: | 约翰·林义·龙;李凯空;谭维新 | 申请(专利权)人: | 安华高科技通用IP(新加坡)公司 |
主分类号: | G01D5/26 | 分类号: | G01D5/26;G01S17/08 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 新加坡*** | 国省代码: | 新加坡;SG |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 具有 内部 通道 区段 接近 传感器 装置 | ||
1.一种用于检测外部物体的存在的接近传感器装置,所述接近传感器装置包括:
发射器,其经配置以发出辐射;
检测器,其经配置以检测从所述发射器发出的且从所述外部物体反射的所述辐射;及
主体,所述主体包括:
顶端;
底端;及
分隔壁,其位于所述发射器与所述检测器之间,所述分隔壁经配置以阻挡从所述发射器发出的所述辐射直接被所述检测器接收;
其中所述主体具有第一高度尺寸,所述第一高度尺寸从所述底端延伸到所述顶端;
其中所述主体具有平行于所述第一高度尺寸的第二高度尺寸,所述第二高度尺寸沿着所述分隔壁延伸;
其中所述接近传感器装置的所述第二高度尺寸比所述第一高度尺寸短以界定内部通道区段;且
其中所述内部通道区段邻近于所述分隔壁位于所述顶端,且经配置以当所述外部物体极为接近时朝向所述检测器传输所述经反射的辐射。
2.根据权利要求1所述的接近传感器装置,其中所述分隔壁具有顶部反射表面。
3.根据权利要求1所述的接近传感器装置,其中所述分隔壁包括凸块,且所述凸块包括所述主体的所述顶端。
4.根据权利要求3所述的接近传感器装置,其中所述凸块包括顶部平坦表面,所述顶部平坦表面经配置以啮合外表面。
5.根据权利要求1所述的接近传感器装置,其中所述内部通道区段包括窄部分及宽部分。
6.根据权利要求5所述的接近传感器装置,其中所述主体进一步包括至少一个反射表面,所述反射表面经配置以引导所述辐射的从极为接近的所述外部物体反射回来的部分朝向所述内部通道的所述宽部分。
7.根据权利要求1所述的接近传感器装置,其中所述第二高度尺寸大约大于所述第一高度尺寸的85%。
8.根据权利要求1所述的接近传感器装置,其中所述主体是有弹性的且可压缩的。
9.根据权利要求8所述的接近传感器装置,其中所述主体经配置使得当所述外部物体压缩所述接近传感器装置时,通过所述内部通道区段传输的辐射量增加。
10.一种用于检测外部物体在外表面上的存在的接近传感器组合件,其包括:
衬底,其具有实质上水平的平面;
光学结构,其安置在所述衬底上;
所述光学结构的顶端,其与所述外表面耦合;
所述光学结构的第一垂直高度尺寸,其从所述衬底延伸到所述光学结构的所述顶端;
第一及第二孔口,其通过所述光学结构而延伸;
发射器,其安置在所述第一孔口内用于发出辐射;
检测器,其安置在所述第二孔口内,用于感测通过所述发射器发出的且通过所述外部物体反射的所述辐射;
其中所述光学结构的接近所述第一及第二孔口的部分具有比所述第一垂直高度尺寸更短的第二垂直高度尺寸,且在其中在所述光学结构与所述外表面之间界定内部通道区段;
其中所述内部通道区段经配置以当所述外部物体极为接近时将所述辐射从所述第一孔口传输到所述第二孔口。
11.根据权利要求10所述的接近传感器组合件,其中所述光学结构包括光耦合到所述发射器及所述检测器的至少一者的至少一个透镜。
12.根据权利要求10所述的接近传感器组合件,其中所述接近传感器组合件进一步包括附接在所述衬底上的额外半导体裸片,且其中所述光学结构包括至少一个外腔,所述外腔经配置以容纳所述额外半导体裸片,使得所述额外半导体裸片隐藏在所述光学结构与所述衬底之间。
13.根据权利要求10所述的接近传感器组合件,其中所述光学结构界定凸耳部分,其用于啮合外部罩壳的界定所述外表面的部分。
14.根据权利要求10所述的接近传感器组合件,其中所述光学结构包括至少侧内表面,用于啮合所述衬底。
15.根据权利要求10所述的接近传感器组合件,其中所述第一孔口包括反射表面。
16.根据权利要求15所述的接近传感器组合件,其中所述反射表面经配置以当所述外部物体极为接近时,引导从所述外部物体反射的辐射朝向所述内部通道区段。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安华高科技通用IP(新加坡)公司,未经安华高科技通用IP(新加坡)公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201310454879.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。