[发明专利]有机无机复合薄膜与其形成方法在审
申请号: | 201310451864.0 | 申请日: | 2013-09-27 |
公开(公告)号: | CN104425759A | 公开(公告)日: | 2015-03-18 |
发明(设计)人: | 周力行;梁志豪;施希弦;杨智超;潘益宗 | 申请(专利权)人: | 财团法人工业技术研究院 |
主分类号: | H01L51/52 | 分类号: | H01L51/52;H01L51/56;H01L51/54 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 曹玲柱 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 有机 无机 复合 薄膜 与其 形成 方法 | ||
1.一种有机无机复合薄膜,其特征在于,包括:
碳、氟、氧及/或氮、与M组成的匀相非晶无孔材料,
其中M包括硅、钛、铝、铬、或上述的组合。
2.根据权利要求1所述的有机无机复合薄膜,其中碳介于1至25原子百分比之间,氟介于5至30原子百分比之间,氧及/或氮介于30至65原子百分比之间,且M介于10至50原子百分比之间。
3.根据权利要求2所述的有机无机复合薄膜,其特征在于,其水气穿透度小于15mg/m2·天。
4.一种有机无机复合薄膜的形成方法,其特征在于,包括:
共溅射一无机物靶材以及一含氟有机高分子靶材,使该无机物靶材的原子与该含氟有机高分子靶材的原子同时沉积于一基材上,以形成一有机无机复合薄膜。
5.根据权利要求4所述的有机无机复合薄膜的形成方法,其中该无机物靶材包括硅、氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、氧化钛、氮化钛、氧化铝、氮化铝、氧化铬、氮化铬、或上述的组合。
6.根据权利要求4所述的有机无机复合薄膜的形成方法,其中该含氟有机高分子靶材包括聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯、或上述的组合。
7.根据权利要求4所述的有机无机复合薄膜的形成方法,其中共溅射该无机物靶材以及该含氟有机高分子靶材的基材温度介于25℃至150℃之间。
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