[发明专利]一种基于光子晶体-单层石墨烯结构的LED有效
| 申请号： | 201310447624.3 | 申请日： | 2013-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN103489982A | 公开（公告）日： | 2014-01-01 |
| 发明（设计）人： | 徐晨;葛海亮;许坤;郑雷;陈茂兴 | 申请（专利权）人： | 北京工业大学 |
| 主分类号： | H01L33/40 | 分类号： | H01L33/40 |
| 代理公司： | 北京思海天达知识产权代理有限公司 11203 | 代理人： | 张慧 |
| 地址： | 100124 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 基于 光子 晶体 单层 石墨 结构 led | ||
1.基于光子晶体-单层石墨烯结构的LED，其特征在于：最上层为二氧化硅保护层（101），二氧化硅保护层（101）下面是单层石墨烯（102），二氧化硅保护层（101）覆盖了除了正电极（100）和负电极（108）以外的所有部分，单层石墨烯（102）下面依次为接触层（103）、LED芯片p-GaN层（104）；LED芯片p-GaN层（104）上方为正电极（100），LED芯片p-GaN层（104）下面依次为LED芯片多量子井发光层（105）、LED芯片n-GaN层（106），LED芯片n-GaN层（106）上有LED负电极（108），整个LED芯片n-GaN层（106）的下面为蓝宝石衬底（107）；其中LED芯片p-GaN层（104）具有光子晶体结构，光子晶体的设计如下：空气圆孔六角形排列，相邻两个圆孔圆心间的距离A=450nm-470nm，圆孔的半径r=200nm-220nm，空气圆孔的深度为100nm-130nm；单层石墨烯结合的LED（102）和接触层（103）与接触的LED芯片p-GaN层（104）表层相符。
2.按照权利要求1的基于光子晶体-单层石墨烯结构的LED，其特征在于：不包括接触层（103），采用光子晶体和单层石墨烯直接相结合的结构。
3.按照权利要求1或2的基于光子晶体-单层石墨烯结构的LED，其特征在于：光子晶体采用A=470nm，r=220nm，h=130nm。
4.按照权利要求1或2的基于光子晶体-单层石墨烯结构的LED，其特征在于：光子晶体采用A=460nm，r=210nm，h=120nm。
5.按照权利要求1或2的基于光子晶体-单层石墨烯结构的LED，其特征在于：光子晶体结构上方是厚度为一个原子大小的单层石墨烯（102）。
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