[发明专利]参考电压产生电路有效
申请号: | 201310443743.1 | 申请日: | 2013-09-26 |
公开(公告)号: | CN104298298A | 公开(公告)日: | 2015-01-21 |
发明(设计)人: | 温文莹;陈宗良 | 申请(专利权)人: | 新唐科技股份有限公司 |
主分类号: | G05F3/26 | 分类号: | G05F3/26 |
代理公司: | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人: | 贾磊 |
地址: | 中国台湾新竹*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 参考 电压 产生 电路 | ||
1.一种参考电压产生电路,用以产生一参考电压,其特征在于,所述电路包括:
一带隙电路,包括:
一电流镜电路,用以产生一第一电流;以及
一输出电路,用以根据所述第一电流产生一参考电流;以及
一补偿电路,与所述带隙电路并联耦接于一接合端点,用以产生一补偿电流;
其中所述补偿电流小于所述参考电流,所述参考电流具有一第一温度系数,所述补偿电流具有与所述第一温度系数反向的一第二温度系数,所述参考电流与所述补偿电流合并于所述接合端点,使得在所述接合端点的所述参考电压的一温度系数的一绝对值小于所述第一温度系数的一绝对值与所述第二温度系数的一绝对值。
2.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述带隙电路还包括一启动电路用以启动所述带隙电路,所述启动电路包括:
一第一晶体管,具有一第一极耦接至一操作电压;以及
一第二晶体管,具有一第一极与一第二极共同耦接至所述第一晶体管的一第二极,以及一第三极耦接至一接地点;
其中所述第一晶体管的一第三极耦接至所述电流镜电路。
3.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述电流镜电路包括:
一第三晶体管;
一第四晶体管,与所述第三晶体管组成一第一电流镜;
一第五晶体管,具有一第一极耦接至所述第四晶体管,一第二极耦接至所述第三晶体管,以及一第三极耦接至一第一电阻;以及
一第六晶体管,具有一第一极耦接至所述第三晶体管,一第二极耦接至所述第一电阻,以及一第三极耦接至一接地点。
4.根据权利要求3所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述输出电路包括:
一第七晶体管,具有一第一极耦接至一操作电压,一第二极耦接至所述第一电流镜,以及一第三极耦接至所述接合端点。
5.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述补偿电路包括:
一第八晶体管;
一第九晶体管,与所述第八晶体管组成一第二电流镜;
一第十晶体管,具有一第一极通过一第二电阻耦接至所述第八晶体管,一第二极耦接至所述第八晶体管,以及一第三极耦接至所述接地点;
一第十一晶体管,具有一第一极耦接至所述第九晶体管,一第二极通过所述第二电阻耦接至所述第八晶体管,以及一第三极耦接至所述接地点;以及
一第十二晶体管,具有一第一极耦接至所述操作电压,一第二极耦接至所述第二电流镜,以及一第三极耦接至所述接合端点。
6.根据权利要求5所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述补偿电路还包括:
一第三电阻,其一端耦接至第九晶体管,另一端串接一电容至所述接地点。
7.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述补偿电流的大小为所述参考电流的十分之一。
8.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述电路于一既定温度变化量之下,所述补偿电流的一电流变化量约等于所述参考电流的一电流变化量。
9.根据权利要求1所述的参考电压产生电路,其特征在于,所述带隙电路与所述补偿电路是由P型基底N型井区或双井区工艺制作。
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