[发明专利]一种高精度低压振荡器

权利要求书

1.一种高精度低压振荡器，其特征在于，其包括：

依次串联的第一电流源，电容和第一晶体管，所述第一电流源提供第一电流给所述电容充电以得到充电电压；

控制信号产生电路，其包括反相器和依次串联的第二电流源，第二晶体管和电阻，所述第二电流源提供第二电流使得在所述第二晶体管导通时所述第二电流流经所述第二晶体管和电阻，以在所述第二晶体管的源极和电阻之间的节点产生参考电压，所述第二晶体管的栅极与所述第一电流源和电容之间的节点相连，所述第二晶体管和第二电流源之间的节点与所述反相器的输入端相连，所述反相器的输出端输出控制信号；

放电控制电路基于所述控制信号对电容进行放电控制。

2.根据权利要求1所述的高精度低压振荡器，其特征在于，

当所述充电电压与所述参考电压之间的差值小于所述第二晶体管的阈值电压时，所述第二晶体管截止，所述反相器的输出端输出无效的控制信号；当所述充电电压与所述参考电压之间的差值大于所述第二晶体管的阈值电压时，所述第二晶体管导通，所述反相器的输出端输出有效的控制信号；

所述放电控制控制电路在所述控制信号有效时对所述电容进行放电，在所述控制信号无效时禁止对所述电容进行放电。

3.根据权利要求2所述的高精度低压振荡器，其特征在于，

所述第一晶体管和所述第二晶体管为NMOS晶体管，

所述第一晶体管的漏极与所述电容相连，其栅极和漏极相连，其源极接地；

所述第二晶体管的源极与所述电阻的一端相连，电阻的另一端接地。

4.根据权利要求2所述的高精度低压振荡器，其特征在于，

所述第一晶体管和所述第二晶体管为PMOS晶体管，

所述第一晶体管的漏极与所述电容相连，其栅极和漏极相连，其源极接电源；

所述第二晶体管的源极与所述电阻的一端相连，电阻的另一端接电源。

5.根据权利要求3或者4所述的高精度低压振荡器，其特征在于，

所述放电控制电路包括第三晶体管或者第三三极管，

所述第三晶体管的栅极为所述放电控制电路的控制信号接收端，所述第三晶体管的源极和漏极分别于所述电容的两端相连。

6.根据权利要求5所述的高精度低压振荡器，其特征在于，所述第二晶体管的衬底与其源极相连。

7.根据权利要求6所述的高精度低压振荡器，其特征在于，所述第一晶体管的阈值电压和第二晶体管的阈值电压相同，且两个晶体管的沟道的宽度和长度也相同。

8.根据权利要求1所述的高精度低压振荡器，其特征在于，所述第一电流源和电容之间的节点与所述振荡器的输出端相连。