[发明专利]CIGS基或CZTS基薄膜太阳能电池及其制备方法

权利要求书

1.一种用于制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的预处理薄膜，所述预处理薄膜包括顺序地堆叠的基板、钼背电极层、铜薄膜、以及光吸收粉末层。

2.根据权利要求1所述的用于制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的预处理薄膜，其中，光吸收粉末层具有Cu_xIn_yGa_1-y(S_zSe_1-z)₂或Cu_(2-p)Zn_(2-q)Sn_q(S_rSe_(1-r))₄的组分，并且通过非真空型工艺涂覆，包括刮刀涂布工艺、丝网印刷工艺、旋转涂布工艺、喷涂工艺或涂装工艺，其中，0<x<1、0<y<1、0<z<1，并且x、y和z中的每个都代表实数，其中，0<p<2、0<q<2、0<r<2，并且p、q和r中的每个都代表实数。

3.根据权利要求1所述的用于制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的预处理薄膜，其中，钼背电极层具有0.5-5μm的厚度且铜薄膜有对应于光吸收粉末层厚度的1-10%的厚度。

4.一种制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的方法，所述方法包括下述步骤：

在基板的一个表面上形成钼背电极层；

在钼背电极层上形成铜薄膜；

在铜薄膜上形成铜铟镓硒或铜锌锡硫的光吸收粉末层，以提供制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的预处理薄膜；以及

对用于制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的预处理薄膜热处理，以形成光吸收层。

5.根据权利要求4所述的制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的方法，其中，基板从由玻璃、金属、陶瓷以及聚合物组成的组中选择。

6.根据权利要求4所述的制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的方法，其中，所述形成钼背电极层的步骤通过电子束镀膜、溅射、化学气相沉积或金属有机化学气相沉积工艺使钼涂覆到基板上来执行。

7.根据权利要求4所述的制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的方法，其中，所述形成铜薄膜的步骤通过真空蒸镀、热真空蒸镀、电子束镀膜、溅射、化学气相沉积、金属有机化学气相沉积或电化学沉积工艺在钼背电极层上涂覆铜薄膜来执行。

8.根据权利要求4所述的制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的方法，其中，所述形成光吸收粉末层以提供制备铜铟镓硒基或铜锌锡硫基太阳能电池的预处理薄膜的步骤包括通过非真空型工艺在非真空环境下，涂覆具有Cu_xIn_yGa_1-y(S_zSe_1-z)₂或Cu_(2-p)Zn_(2-q)Sn_q(S_rSe_(1-r))₄组成的粉末或糊料，非真空型工艺包括刮刀涂布技术、丝网印刷工艺、旋转涂布工艺、喷涂工艺或涂装工艺，其中，0<x<1、0<y<1、0<z<1，并且x、y和z中的每个都代表实数，其中，0<p<2、0<q<2、0<r<2，并且p、q和r中的每个都代表实数。