[发明专利]一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法

说明书

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法。

背景技术

随着薄膜晶体管（Thin Film Transistor，TFT）技术的成熟，TFT液晶显示器（Liquid Crystal Display，LCD）已成为主流的平板显示器。其中，液晶显示器中阵列基板的结构直接影响着显示质量。

如图1所示为现有的阵列基板的示意图，其中，像素电极11与源极12电连接。如图2所示为图1中的阵列基板沿B-B'的剖视图。

现有阵列基板的数据线13在其形成过程中可能存在有毛刺和分层等现象，该些现象的存在，将导致当在数据线13上施加电压时，数据线13和源极12之间会产生不均匀的电场，由此可能导致不同像素电极上的电压差异较大，反映到实际的显示效果上可能会导致TFT LCD出现斑点（Mura）。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、显示装置及阵列基板的制造方法。

一种阵列基板，所述阵列基板包括：

数据线，所述数据线形成于基板上；

透明导电膜，所述透明导电膜覆盖所述数据线上。

采用上述结构，透明导电膜可将数据线上的毛刺或者分层包裹住，当在数据线上施加电压时可避免出现不同像素电极上的电压差异较大的问题。

可选地，所述透明导电膜直接覆盖在所述数据线之上。

由于透明导电膜可以直接覆盖在数据线上，因此透明导电膜与数据线之间可以没有绝缘层，从而在达到透明导电膜覆盖数据线的效果的同时，简化了阵列基板的结构。

所述阵列基板中的薄膜晶体管形成于所述基板上；其中，所述薄膜晶体管包括源极、漏极，所述漏极与所述数据线电连接；所述阵列基板中的像素电极形成于所述基板上；其中，所述像素电极覆盖在所述源极之上，所述像素电极与所述源极电连接。

可选地，所述透明导电膜与所述像素电极为相同材料。

所述透明导电膜、所述像素电极材料均为透明导电材料，且所述透明导电膜与所述像素电极位于同一层。

所述透明导电膜和所述像素电极的材料为氧化铟锡或氧化铟锌。

一种显示面板，包括上述阵列基板。

一种显示装置，包括上述显示面板。

一种阵列基板的制造方法，包括：在一基板上形成金属层；图案化所述金属层以形成数据线、源极和漏极，其中所述漏极与所述数据线电连接；在所述金属层上形成透明导电层；图案化所述透明导电层以形成像素电极和直接覆盖在所述数据线上的透明导电膜。

采用上述方案，将透明导电膜直接覆盖在数据线上，可将数据线包裹住，当在数据线上施加电压时，可减小数据线上的毛刺、分层对像素电极上的电压的影响，从而避免出现不同像素电极上的电压差异较大的问题。

可选地，所述像素电极覆盖在所述源极之上，所述像素电极与所述源极电连接。

另需说明的，由于在本领域中源极、漏极的区分没有严格的界限，故在本发明中源极、漏极两者是可以互换的。在文中采用将源极、漏极分开表述，只是为了表述清楚。

附图说明

图1为背景技术中的阵列基板的示意图；

图2为图1中的阵列基板沿B-B'的剖视图；

图3为本发明实施例一中的阵列基板的示意图；

图4为图3中的阵列基板沿A-A'的剖视图；

图5为本发明实施例二中的阵列基板的制造方法的流程示意图；

图6a为本发明实施例二中经过步骤102处理后所形成的阵列基板的示意图；

图6b为6a中的阵列基板沿A-A'的剖视图；

图7a为本发明实施例二中经过步骤104处理后所形成的阵列基板的示意图；

图7b为7a中的阵列基板沿A-A'的剖视图；

图8a为本发明实施例二中经过步骤105处理后所形成的阵列基板的示意图；

图8b为8a中的阵列基板沿A-A'的剖视图；

图9a为本发明实施例二中经过步骤106处理后所形成的阵列基板的示意图；

图9b为9a中的阵列基板沿A-A'的剖视图。

具体实施方式

本发明实施例的方案通过在数据线上覆盖透明导电膜，可将数据线上的毛刺或分层包裹住，当在数据线上施加电压时可减小不同像素电极上的电压差异。

为使本发明的上述目的、特征和优点能够更为明显易懂，下面结合附图对本发明的具体实施方式做详细的说明。