[发明专利]电子照相感光构件、处理盒和电子照相设备有效
申请号: | 201310384715.7 | 申请日: | 2013-08-29 |
公开(公告)号: | CN103676507A | 公开(公告)日: | 2014-03-26 |
发明(设计)人: | 西田孟;久野纯平;渡口要;川原正隆;田中正人 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | G03G5/047 | 分类号: | G03G5/047;G03G5/06;G03G5/14;G03G21/18;G03G15/00 |
代理公司: | 北京魏启学律师事务所 11398 | 代理人: | 魏启学 |
地址: | 日本东京都大*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 电子 照相 感光 构件 处理 设备 | ||
技术领域
本发明涉及电子照相感光构件以及各自包括所述电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
背景技术
已开发各种用于电子照相感光构件的电荷产生物质。这些物质中,经常使用具有高感光度的酞菁颜料。
然而,伴随电子照相感光构件的高感光度化,通过从处理盒或电子照相设备的外部穿透的光易于引起电子照相感光构件的光存储(photomemory)。近年来,这需要进行改进。术语光存储表示载流子在用光照射的部分(照射部)中累积从而引起照射部与未用光照射的部分(非照射部)之间的电位差的现象,这会引起图像品质(图像再现性)降低。
日本专利特开2006-72304和2008-15532公开了组合使用酞菁颜料和有机电子受体化合物的技术,以及电荷产生层包括具有电子受体分子的颜料敏化掺杂剂的技术。
然而,使用日本专利特开2006-72304和2008-15532中公开的技术没有导致光存储的充分改进。
发明内容
本发明的方面提供抑制光存储发生的电子照相感光构件,以及各自包括电子照相感光构件的处理盒和电子照相设备。
本发明的一个公开方面提供具有支承体以及在支承体上形成的感光层的电子照相感光构件,其中感光层具有酞菁颜料和由下述式(1)表示的二氰基乙烯化合物。
本发明的另一方面提供具有支承体、在支承体上形成的底涂层以及在底涂层上形成的感光层的电子照相感光构件,其中底涂层具有由下述式(1)表示的二氰基乙烯化合物,感光层具有酞菁颜料。
其中,式(1)中,R1和R2各自独立地表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的吡啶基、未取代或取代的噻吩基、未取代或取代的哌啶基或者取代的氨基。
本发明的另一方面提供可拆卸地安装至电子照相设备主体的处理盒,其中处理盒一体化地支承上述电子照相感光构件以及选自由充电装置、显影装置和清洁装置组成的组的至少一种装置。
本发明的另一方面提供具有上述电子照相感光构件、充电装置、曝光装置、显影装置和转印装置的电子照相设备。
参考附图,从以下示例性实施方案的描述,本发明的进一步特征将变得显而易见。
附图说明
图1示出包括具有根据本发明实施方案的电子照相感光构件的处理盒的电子照相设备的示意性结构。
具体实施方式
根据本发明实施方案的电子照相感光构件包含由下式(1)表示的二氰基乙烯化合物:
其中,式(1)中,R1和R2各自独立地表示未取代或取代的烷基、未取代或取代的芳基、未取代或取代的吡啶基、未取代或取代的噻吩基、未取代或取代的哌啶基或者取代的氨基。
烷基的实例包括甲基、乙基、丙基和丁基。芳基的实例包括苯基和萘基。
可连接至基团的取代基的实例包括烷基,如甲基、乙基、丙基和丁基;芳基,如苯基、萘基和菲基(phenalenyl);卤原子,如氟原子、氯原子和溴原子;烷基取代的氨基,如二甲氨基和二乙氨基;羟烷基取代的氨基,如双(羟甲基)氨基和双(羟乙基)氨基;羟基取代的氨基,如二羟基氨基;芳基取代的氨基,如二苯基氨基、二甲苯基氨基和二甲苄基氨基(dixylylamino group);氨基(未取代的氨基);以及羟基。
在电子照相感光构件包括支承体和在支承体上配置的感光层,以及感光层包含酞菁颜料的情况下,感光层可进一步包含由上述式(1)表示的二氰基乙烯化合物。在感光层包括电荷产生层和在电荷产生层上配置的电荷输送层的情况下,电荷产生层中可包含酞菁颜料和由式(1)表示的二氰基乙烯化合物。
在电子照相感光构件包括支承体、在支承体上配置的底涂层和在底涂层上配置的感光层,以及感光层包含酞菁颜料的情况下,底涂层可包含由式(1)表示的二氰基乙烯化合物。在感光层包括电荷产生层和在电荷产生层上配置的电荷输送层的情况下,电荷产生层中可包含酞菁颜料。除了在底涂层中以外还可在感光层(电荷产生层)中包含由式(1)表示的二氰基乙烯化合物。
式(1)中,R1和R2可各自表示用吡啶基、哌啶基、烷基或芳基取代的氨基,或者用仲胺或叔胺取代的芳基。
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