[发明专利]晶体管电桥

说明书

技术领域

本发明属于电子电路技术领域。

背景技术

在无源驱动电路中，需要一种方波振荡电路，能稳定的振荡同时又具有一定的驱动能力，推动电荷泵正常工作，以方便从MOSFET的漏极或晶体三极管的集电极获得足够的驱动电流电压，完成无源驱动要求。目前获得方波的方法有以比较器振荡、门电路振荡、单片机给出等，这些方式对无源驱动电路都太复杂。对一个简单的驱动电路来说，振荡电路越复杂会造成整个无源驱动电路复杂，使无源驱动电路缺乏适用性。

发明内容

如附图1。它是由4只三极管和3个电阻组成的晶体管触发式电桥(简称晶体管电桥)。A点是电桥的输入端，B点是电桥的输出端。设R1＝R2，则B点电压为Ui的一半。在A、B两点，Q3、Q4的基极-射极以反向电流方式并联在一起，当电桥的A点与B点的压差超过一个PN结导通电压时，就会有一个导通，并且只会有一只导通，因为它们的导通电流是反向的。比如输入端Pi接GND电压时，A点低于B点电压，Q3导通，Q4的基极-射极电压就是Q3的导通电压，但是一个负压，这个负压确保Q4的可靠截止且不会被反向击穿。Q3有一个基极-射极导通电流，引起Q3集电极-射极导通电流，Q3集电极电流流经Q1基极-射极，使Q1导通，Q1就会有射极-集电极电流，由于Q2是不导通的，Q1的集电极电流就会流过Q3的基极-射极，形成Q3的基极-射极电流的叠加，这样就形成了正反馈路径，直到Q1、Q3都饱和，正反馈结束。触发电阻R1被Q1短路，B点被Q1接在了Ui上，使输出直接由Q1驱动。如果Pi接在了Ui上，Q3由于射极电流减小使集电极电流减小，使Q1基极电流减小，Q3、Q1的正反馈结构又使它们迅速翻转到截止状态，同时由于Q1的截止，使B点恢复到由电阻R1、R2决定的电压即Ui电压的一半。由于Pi接在Ui上，A点电压高于B点电压，使Q4、Q2组成的正反馈翻转到饱和，电阻R2被Q2短路，B点被Q2接在了GND上，输出由Q2驱动。

在B点翻转到Ui或GND电压的过程中，不会有Ui到GND短路的情况。因为任何时候都只会有Q1、Q3或Q2、Q4中的一组导通，或者两组都不导通。当A点与B点的压差不足一个PN结导通电压时，Q3、Q4均不会导通，则Q1、Q2也不会导通。Po与Pi是反相的，电阻Ri只提供Q1或Q3最小基极饱和电流，电阻R1、R2只提供Q3、Q4的基极触发电流。

附图说明

图1：晶体管电桥电路结构图

图2：由晶体管电桥构成的互补输出振荡器

图3：晶体管电桥作为驱动MOSFET的驱动输出级

图4：由晶体管电桥构成的晶体三极管的无源驱动电路

具体实施方式

实施例一：构成相位差180°输出的互补方波振荡电路。

如图2。它由振荡器和反相器两部分构成。R、C决定振荡器的振荡频率，Q1、Q3构成的正反馈通过R对C充电，Q2、Q4构成的正反馈使C通过R放电。触发电流电阻R1＝R2、R4＝R5，R3提供Q5、Q6最小基极饱和电流，振荡电阻R的值由振荡频率决定。设U_BE为晶体管基极-射极导通电压。