[发明专利]晶体管电桥无效
| 申请号： | 201310379556.1 | 申请日： | 2013-08-20 |
| 公开（公告）号： | CN103441748A | 公开（公告）日： | 2013-12-11 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 马东林 |
| 主分类号： | H03K3/02 | 分类号： | H03K3/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 610045 四川省*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 晶体管 电桥 | ||
一种由四只晶体三极管和三只电阻构成的电桥电路，其特征为：前述电桥有正极(Ui)供电端、负极(GND)供电端、输入端(Pi)、输出端(Po)共四个端；与正极(Ui)供电端连接的有一个正反馈结构(Q1和Q3)和一只电阻(R1)；与负极(GND)供电端连接的有一个正反馈结构(Q2和Q4)和一只电阻(R2)；正极(Ui)供电端连接的正反馈结构(Q1和Q3)和负极(GND)供电端连接的正反馈结构(Q2和Q4)连接成两个点(A点和B点)；一个点(A点)通过输入电阻(Ri)连接到输入端，另一个点(B点)连接到输出端(Po)。
1.权利要求中所述的“与正极(Ui)供电端连接的有一个正反馈结构(Q1和Q3)和一只电阻(R1)”的连接方法是：晶体管一(Q1)是PNP型晶体管，晶体管三(Q3)是NPN型晶体管，且晶体管一(Q1)的发射极连接在正极(Ui)供电端，晶体管一(Q1)的集电极连接在晶体管三(Q3)的基极，晶体管一(Q1)的基极连接在晶体管三(Q3)的集电极；前述电阻(R1)的一端连接在晶体管一(Q1)的发射极，另一端连接在晶体管一(Q1)的集电极。
2.权利要求中所述的“与负极(GND)供电端连接的有一个正反馈结构(Q2和Q4)和一只电阻(R2)”的连接方法是：晶体管二(Q2)是NPN型晶体管，晶体管四(Q4)是PNP型晶体管，且晶体管二(Q2)的发射极连接在负极(GND)供电端，晶体管二(Q2)的集电极连接在晶体管四(Q4)的基极，晶体管二(Q2)的基极连接在晶体管四(Q4)的集电极；前述电阻的一端连接在晶体管二(Q2)的发射极，另一端连接在晶体管二(Q2)的集电极。
3.权利要求中所述的“正极(Ui)供电端连接的正反馈结构(Q1和Q3)和负极(GND)供电端连接的正反馈结构(Q2和Q4)连接成两个点(A点和B点)”的连接方法是：晶体管三(Q3)的发射极与晶体管四(Q4)的发射极连接在一起称为一个点(A点)；晶体管三(Q3)的基极与晶体管四(Q4)的基极连接在一起称为另一个点(B点)。
4.权利要求中所述的“一个点(A点)通过输入电阻(Ri)连接到输入端，另一个点(B点)连接到输出端(Po)”的连接方法是：输入电阻(Ri)的一端连接在输入端(Pi)，输入电阻(Ri)的另一端连接在电桥的一个点(A点)；电桥的另一个点(B点)直接连接在输出端(Po)。
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