[发明专利]跨阻前置放大器电路有效

专利信息
申请号: 201310376790.9 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN103441737A 公开(公告)日: 2013-12-11
发明(设计)人: 高武;唐攀;胡永才;高德远;魏廷存;郑然;王佳;魏晓敏 申请(专利权)人: 西北工业大学
主分类号: H03F3/08 分类号: H03F3/08
代理公司: 西北工业大学专利中心 61204 代理人: 王鲜凯
地址: 710072 *** 国省代码: 陕西;61
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摘要:
搜索关键词: 前置放大器 电路
【说明书】:

技术领域

发明涉及一种前置放大器电路,特别是涉及一种跨阻前置放大器电路。

背景技术

在半导体辐射探测器系统中,电流模式的前端读出电路被普遍采用。

参照图1。文献“高武.正电子发射断层成像系统前端读出芯片设计技术研究,西安:西北工业大学博士论文,2011”公开了一种前置放大器,该电路由RGC跨阻放大器、增益调节电路以及积分器构成。RGC跨阻放大器的输出电流通过二极管连接的PMOS晶体管MP5转换成电压信号,PMOS晶体管MP5与增益调节电路中的PMOS管MP61~MP66构成电流镜来调节流入积分器的偏置电流。为了保证NMOS晶体管MN7不工作在线性区,实现电流镜的精确电流复制功能,积分器允许流过的偏置电流较小。为了读出探测器的微弱小信号,要求RGC跨阻放大器具备高带宽和低输入阻抗,要求其偏置电流较大。由于电流镜处理信号时,放大小信号电流的同时也同比例放大偏置电流,经过积分器后电压摆幅很小,不利于后续的数字化处理。

文献所公开中的RGC跨阻放大器增益为:

Av=IoutIin=-gm1(1+gm2R1)rds1rds31/gm5+rds1+gm1(1+gm2R1)rds1rds3-1]]>

式中,gm1,gr2,gm5分别是NMOS晶体管MN1,NMOS晶体管MN2,PMOS晶体管MP5的跨导。rds1,rds3分别是NMOS晶体管MN1,NMOS晶体管MN3的等效电阻。如果Iout=Iadj,则NMOS晶体管MN7管的漏电流

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