[发明专利]一种无电容型低压差线性稳压器有效

专利信息
申请号: 201310375689.1 申请日: 2013-08-27
公开(公告)号: CN103412602A 公开(公告)日: 2013-11-27
发明(设计)人: 吴小刚 申请(专利权)人: 吴小刚
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 深圳市嘉宏博知识产权代理事务所 44273 代理人: 孙强
地址: 518000 广东省深圳市南山*** 国省代码: 广东;44
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摘要:
搜索关键词: 一种 电容 低压 线性 稳压器
【权利要求书】:

1.一种无电容型低压差线性稳压器,包括基准电压源、误差放大器、电源电压输入端、调整管及电阻反馈电路,其特征在于,该无电容型低压差线性稳压器还包括摆率增强电路以及补偿电容,该误差放大器的同相输入端与该电阻反馈电路连接,该误差放大器的反相输入端与该基准电压源连接,该误差放大器的输出端与该摆率增强电路的输入端连接,该摆率增强电路的输出端与该调整管的栅极连接,该调整管的漏极为输出端,该调整管的漏极与该电阻反馈电路连接,该调整管的源极与该电源电压输入端连接,该补偿电容(C1)的一端与该调整管的栅极连接,另一端与该调整管的输出端连接。

2.如权利要求1所述的一种无电容型低压差线性稳压器,其特征在于:该误差放大器包括偏置电压输入端、第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管、第四PMOS管、第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管及第五NMOS管,该第一PMOS管的栅极与第二PMOS管的栅极连接,该第二PMOS管的栅极与其自身的漏极连接,该第一PMOS管的漏极与第四NMOS管的栅极连接,该第四NMOS管的栅极与其自身的漏极连接,该第二PMOS管的栅极与该第一NMOS管的漏极连接,该第三PMOS管的栅极与其自身的漏极连接,同时该第三PMOS管的栅极与该第二NMOS管的漏极连接,该第四PMOS管的栅极与该第三PMOS管的栅极连接,该第四PMOS管的漏极与该第五NMOS管的栅极连接,该第五NMOS管的栅极与其自身的漏极连接,该第一NMOS管的栅极为误差放大器反相输入端,该第一NMOS管的源级与该第三NMOS管的漏极连接,该第二NMOS管的栅极为误差放大器正相输入端,该第二NMOS管的源级与该第三NMOS管的漏极连接,该第一PMOS管、该第二PMOS管、该第三PMOS管以及该第四PMOS管的源级都与该电源电压输入端连接,该第三NMOS管、该第四NMOS管及该第五NMOS管的源级都与地连接,该第三NMOS管的栅极与该偏置电压输入端连接,以产生尾电流。

3.如权利要求1所述的一种无电容型低压差线性稳压器,其特征在于:该摆率增强电路包括第五PMOS管、第六PMOS管、第七PMOS管、第六NMOS管、第七NMOS管、第八NMOS管、第九NMOS管,该第五PMOS管与该第六PMOS管栅极及该第七PMOS管栅极连接,该第五PMOS的栅极与自身漏极连接,同时该第五PMOS的栅极与该第六NMOS管漏极连接,该第六PMOS管漏极与该第七NMOS管漏极连接,同时该第六PMOS管漏极与该调整管(Mp)的栅极连接,该第七PMOS管漏极与该第九NMOS管漏极连接,该第九NMOS管栅极与其自身的漏极连接,同时该第九NMOS管栅极与该第八NMOS管栅极连接,该第八NMOS管漏极与该调整管(Mp)栅极连接,该第七NMSO管栅极连接偏置电压(Vb),该第七NMSO管漏极与该调整管(Mp)栅极连接,该第六NMOS管的栅极与该误差放大器输出连接,该第六NMOS管漏极与该第五PMOS管的漏极连接,电容(C2)一端与该第八NMOS管栅极连接,另一端接地,该第五PMOS管、该第六PMOS管、该第七PMOS管源级都与输入电压(VDD)连接,该第六NMOS管、该第七NMOS管、该第八NMOS管、该第九NMOS管源级都与地连接。

4.如权利要求1所述的一种无电容型低压差线性稳压器,其特征在于:该电阻反馈电路包括第一电阻及第二电阻,该第一电阻的一端与该第二电阻的一端连接,同时该第一电阻的该端与该误差放大器的同相输入端连接,该第一电阻的另一端与该无电容型低压差线性稳压器的输出端连接,该第二电阻的另一端与地线连接。

5.如权利要求1所述的一种无电容型低压差线性稳压器,其特征在于:该调整管为PMOS管。

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