[发明专利]用于非易失存储器中的可切换擦除或写入操作的方法和系统

权利要求书

1. 一种非易失存储装置，其适于可切换地：

使用“福勒-诺得海姆”擦除操作，即FN擦除操作，作为大块擦除操作，以擦除所述存储装置的多个存储单元中的多个仅可粗略选择的存储单元，或者

使用“热空穴”擦除操作，即HH擦除操作，作为选择性擦除操作，以擦除所述存储装置的多个存储单元中的至少一个可个别选择的存储单元。

2. 根据权利要求1所述的存储装置，

其中，所述FN擦除操作对于针对特定存储单元的第一擦除循环计数是可执行的，而不引起对所述特定存储单元的关键损坏；

其中所述HH擦除操作对于针对所述特定存储单元的第二擦除循环计数是可执行的，而不引起对所述特定存储单元的关键损坏，其中，所述第一擦除循环计数高于所述第二擦除循环计数。

3. 根据权利要求1所述的存储装置，进一步适于可切换地：

使用所述FN擦除操作，以用于非时序关键的大块擦除操作，以能够实现对应擦除的存储单元的增加的耐久性，或者

使用所述HH擦除操作，以用于时序关键的选择性擦除操作，以能够实现对个别干扰的存储单元的修复。

4. 一种存储装置，其适于可切换地：

使用“热电子”写入操作，即HE写入操作，以用于时序关键的选择性写入操作，或者

使用“福勒-诺得海姆”写入操作，即FN写入操作，以用于非时序关键的选择性写入操作，以能够实现对应写入的存储单元的增加的耐久性。

5. 一种非易失存储装置，其适于：

在两种或更多种擦除操作和/或两种或更多种写入操作之间进行切换，以用于对所述存储装置的至少一个存储单元进行擦除和/或写入。

6. 根据权利要求5所述的存储装置，进一步适于：

基于以下中的至少一个来确定针对特定的擦除和/或写入操作将所述存储装置切换至两种或更多种擦除操作和/或两种或更多种写入操作中的哪一个：

将以逐位选择性还是以低于逐位选择性应用所述擦除和/或写入操作；

是否允许所述擦除和/或写入操作的预计功耗超过预定功率限制；

是否允许所述擦除和/或写入操作的预计持续时间超过预定持续时间限制；

针对将被写入和/或擦除的至少一个存储单元的当前循环计数是否在特定于所述擦除和/或写入操作的循环计数限制的预定范围内。

7. 根据权利要求6所述的存储装置，其中，将所述存储装置切换至下面的两种或更多种擦除操作和/或两种或更多种写入操作之一以用于特定的擦除和/或写入操作：

在以逐位选择性应用擦除和/或写入操作的情况下，为“热空穴”擦除操作，即HH擦除操作、“热电子”写入操作，即HE写入操作、和/或“福勒-诺得海姆”写入操作，即FN写入操作，否则为FN擦除操作；

在允许所述擦除和/或写入操作的预计功耗超过预定功率限制的情况下，为HH擦除操作和/或HE写入操作，否则为FN擦除操作和/或FN写入操作；

在允许所述擦除和/或写入操作的预计持续时间超过预定持续时间限制的情况下，为FN擦除操作和/或FN写入操作，否则为HH擦除操作和/或HE写入操作；或者

在针对将被写入和/或擦除的至少一个存储单元的当前循环计数低于特定于所述HH擦除操作和/或HE写入操作的循环计数限制的情况下，为HH擦除操作和/或HE写入操作，或者在针对将被写入和/或擦除的至少一个存储单元的当前循环计数低于特定于FN擦除操作和/或FN写入操作的循环计数限制的情况下，为FN擦除操作和/或FN写入操作。

8. 根据权利要求5所述的存储装置，其适于在作为所述两种或更多种写入操作的至少“福勒-诺得海姆”写入操作，即FN写入操作，和“热电子”写入操作，即HE写入操作之间进行切换。

9. 根据权利要求5所述的存储装置，其中所述两种或更多种擦除操作包括增量“热空穴”擦除操作，以选择性地擦除对存储单元的预定选择，所述存储单元例如是可由所述存储装置内的预定字线所寻址的存储单元。

10. 根据权利要求5所述的存储装置，其中，所述两种或更多种擦除操作包括“热空穴”擦除操作，以选择性地擦除预定的存储单元，所述“热空穴”擦除操作作为与EEPROM装置内的擦除操作相当的擦除操作，以产生所述存储装置的实际EEPROM性能。