[发明专利]用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法和系统

说明书

本发明公开了一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法和系统。根据本发明一个方面的校准数据收集方法包括从起始块开始，逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像；将全部块的扫描图像缝合成缝合图像；将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上；以及测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。通过使用本方法，使得能够自动执行光学邻近校正模型的校准数据收集，而无需“点到点”的人工复本创建，实现了完全的数据质量置信度以及数据的可重复性，从而提高了效率、时间和成本。

技术领域

本发明涉及，特别涉及一种用于光学邻近校正（Optical Proximity Correction，OPC）模型的校准数据收集方法和系统。

背景技术

近年来随着半导体制造工业的发展，基于模型的光学邻近校正已成为光刻工艺中不可或缺的技术。基于OPC模型的修正是用从制程信息提取的数学模型来指导图形的修正。在此之前，需要用大量的训练数据来对OPC模型进行训练以使其适用于实际的晶片。然后选择适合的模型模板，并利用模型去修改晶片图形的尺寸或形状直到修正后图形的模拟形状满足设计规格的要求。

为了确保OPC模型是合适的，设计人员需要从晶片收集校准数据。在常规校准数据收集，设计人员使用OPC模型对晶片的设计进行修正以获得满足设计规格的晶片，然后对所获得晶片的感兴趣区域进行扫描以获得感兴趣区域的图像作为校准数据。具体而言，在收集过程中，由于晶片上集成有大量的芯片，为了获得某一或一些芯片中的某一或一些块的图像，首先需要定位晶片上的突出位置，突出位置指的是在较小倍率下依然可见的位置，然后基于突出位置来定位感兴趣的区域，最后对所定位的区域进行拍照。

图1示出了根据现有技术的用于OPC模型的校准数据收集过程。在图1的右侧中示出的晶片100包括多个芯片102，每个芯片102包括多个块。在图1的左侧中示出了感兴趣区域的放大图。例如，为了获得感兴趣区域的校准数据，需要执行以下次拍摄：

1、在2万倍下拍摄5000次以定位突出位置；以及

2、基于突出位置定位感兴趣区域，并进行拍照，例如，在10万倍和15万倍下分别拍着1万张照片并在20万倍下拍着2万张照片。

现有的这种校准数据收集方式晶片集成度比较低的情况下是有效的，但是在晶片集成度越来越高的今天，由于需要人工定位干预，使得收集过程的可重复性低和位置依赖度高。由于可能存在图案识别错误，数据的精确度和重用性低。由于现有技术执行大量动作并需要人工全程监督，耗费了大量的时间和人力资源。

因此，现有技术中存在对于改进OPC模型校准数据收集方式的需要。

发明内容

本发明的发明人发现上述现有技术中存在问题，并因此针对所述问题中的至少一个问题提出了一种新的技术方案。

本发明的一个目的是提供一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集的技术方案。

根据本发明的第一方面，提供了一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集方法，包括：从起始块开始，逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像；将全部块的扫描图像缝合成缝合图像；将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上；以及测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。

根据本发明的第二方面，提供了一种用于光学邻近校正模型的校准数据收集系统，包括：晶片置于其上的机械平台，被配置成操纵所述晶片和扫描所述晶片上的块；和耦合到所述机械平台的处理器，被配置成：从起始块开始，逐块扫描晶片上的所有块以形成每个块的扫描图像；将全部块的扫描图像缝合成缝合图像；将晶片的布局数据映射到所述缝合图像上；以及测量所述缝合图像上预选位置的图像以获得校准数据。

优选地，在扫描方向上按预定重叠间距执行所述扫描以形成每个块的扫描图像。