[发明专利]轨到轨运算放大器

权利要求书

1.一种轨到轨运算放大器，其特征在于，包括：输入级和输出级，所述输入级包括第一电流源、第一输入级、第二电流源、第二输入级、第三电流源、第四电流源和折叠级，其中：

所述第一电流源，用于生成第一恒定电流信号；

所述第一输入级，用于接收第一差分电压信号和所述第一恒定电流信号，并将所述第一差分电压信号转换为第一差分电流信号输入至所述折叠级；

所述第二电流源，用于生成第二恒定电流信号；

所述第二输入级，用于接收所述第一差分电压信号和所述第二恒定电流信号，并将所述第一差分电压信号转换为第二差分电流信号输入至所述输出级；

所述第三电流源，用于生成第三恒定电流信号；

所述第四电流源，用于生成第四恒定电流信号；

所述折叠级，用于接收所述第一差分电流信号、所述第四恒定电流信号和所述第三恒定电流信号，并将所述第一差分电流信号输入至所述输出级。

2.根据权利要求1所述的轨到轨运算放大器，其特征在于，

所述第一输入级包括第一场效应管和第二场效应管，所述第一电流源包括第三场效应管，所述第二输入级包括第四场效应管和第五场效应管，所述第二电流源包括第六场效应管，所述折叠级包括第七场效应管和第八场效应管，所述第三电流源包括第九场效应管和第十场效应管，所述第四电流源包括第十一场效应管和第十二场效应管；

所述第一场效应管的源极和所述第二场效应管的源极分别与所述第三场效应管的漏极电连接，所述第一场效应管的漏极与所述第七场效应管的源极电连接，所述第一场效应管的栅极与所述第四场效应管的栅极电连接；

所述第二场效应管的漏极与所述第八场效应管的源极电连接，所述第二场效应管的栅极与所述第五场效应管的栅极电连接；

所述第三场效应管的栅极分别与所述第十一场效应管的栅极和所述第十二场效应管的栅极电连接；

所述第四场效应管的源极和所述第五场效应管的源极分别与所述第六场效应管的漏极电连接，所述第四场效应管的漏极与所述第七场效应管的漏极电连接；

所述第五场效应管的漏极与所述第八场效应管的漏极电连接；

所述第六场效应管的栅极分别与所述第九场效应管的栅极和所述第十场效应管的栅极电连接；

所述第七场效应管的栅极与所述第八场效应管的栅极电连接，所述第七场效应管的源极与所述第九场效应管的漏极电连接，所述第七场效应管的漏极分别与所述第十一场效应管的漏极和所述输出级电连接；

所述第八场效应管的源极与所述第十场效应管的漏极电连接，所述第八场效应管的漏极分别与所述第十二场效应管的漏极和所述输出级电连接。

3.根据权利要求2所述的轨到轨运算放大器，其特征在于，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第十一场效应管和所述第十二场效应管为N型金属氧化物半导体NMOS场效应管；

所述第四场效应管、所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第九场效应管和所述第十场效应管为P型金属氧化物半导体PMOS场效应管；

所述第三场效应管的源极、所述第十一场效应管的源极和所述第十二场效应管的源极分别接地；

所述第六场效应管的源极、所述第九场效应管的源极和所述第十场效应管的源极分别与电源电连接。

4.根据权利要求2所述的轨到轨运算放大器，其特征在于，所述第一场效应管、所述第二场效应管、所述第三场效应管、所述第十一场效应管和所述第十二场效应管为P型金属氧化物半导体PMOS场效应管；

所述第四场效应管、所述第五场效应管、所述第六场效应管、所述第七场效应管、所述第八场效应管、所述第九场效应管和所述第十场效应管为N型金属氧化物半导体NMOS场效应管；

所述第三场效应管的源极、所述第十一场效应管的源极和所述第十二场效应管的源极分别与电源电连接；

所述第六场效应管的源极、所述第九场效应管的源极和所述第十场效应管的源极分别接地。